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VP0550N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Tc) 20V 4.5V@1mA 1个P沟道 500V 125Ω@ 10mA,10V 54mA 70pF@25V TO-92-3 通孔安装 5.21mm*4.19mm*5.33mm
供应商型号: VP0550N3-G
供应商: Master
标准整包数: 25
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VP0550N3-G

VP0550N3-G概述

    VP0550 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 技术手册概述

    1. 产品简介


    VP0550 是一款由 Microchip Technology Inc. 生产的 P 沟道增强模式垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical DMOS FET)。它采用了硅栅极制造工艺,具备出色的热稳定性及低栅极阈值电压的特点。这款电子元器件特别适用于电机控制、转换器、放大器、开关、电源电路、继电器驱动等多种场合。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): -500 V
    - 漏栅击穿电压 \( BVDGS \): -500 V
    - 栅源击穿电压 \( BVDGS \): ±20 V
    - 工作环境温度 \( TA \): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度 \( TS \): -55°C 至 +150°C
    直流电气特性
    - 漏源饱和电流 \( ID(ON) \): -100 mA
    - 漏源导通电阻 \( RDS(ON) \): 125 Ω (当 \( VGS \) = -10V, \( ID \) = -10 mA)
    - 传输电容 \( CISS \): 40-70 pF (当 \( VGS \) = 0V, \( VDS \) = -25V, \( f \) = 1 MHz)
    交流电气特性
    - 前向跨导 \( GFS \): 25-40 mS (当 \( VDS \) = -25V, \( ID \) = -10 mA)
    - 开启延迟时间 \( td(ON) \): 5-10 ns
    - 关断延迟时间 \( td(OFF) \): 8-15 ns

    3. 产品特点和优势


    - 无二次崩溃: 有助于防止设备过热时出现失效现象。
    - 低功耗驱动需求: 减少系统能耗,提升效率。
    - 并联容易: 可以轻松实现多个器件并联使用,提高系统可靠性。
    - 低输入电容和快速开关速度: 改善信号处理速度,提高响应时间。
    - 出色的热稳定性: 适合极端工作环境。
    - 内部源到漏二极管: 集成了一个内部二极管,提供额外保护。
    - 高输入阻抗和增益: 改善系统信号完整性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机控制: 在工业自动化和机器人领域广泛应用。
    - 转换器和开关: 可用于电源管理领域,如DC-DC转换器。
    - 功率供应电路: 在需要高可靠性和稳定性的场合使用。
    - 驱动装置: 如继电器、电磁锤、螺线管、灯、存储器、显示器等。
    使用建议
    - 在高电压应用中,应注意散热设计,确保器件不会因过热而损坏。
    - 使用并联连接时,需确保各器件之间均衡负载,避免因不平衡导致器件失效。
    - 设计高频率应用时,注意考虑 \( CISS \) 和 \( CRSS \) 的影响,以减少信号失真。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品采用标准的 3-lead TO-92 封装,易于与其他电子元器件配合使用。
    - 适用于广泛的标准电子电路设计。
    支持和服务
    - 微芯科技(Microchip)为 VP0550 提供详尽的技术文档、样品和专业技术支持。
    - 用户可以通过官方网站获得相关技术支持和资料。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题一: 设备在高功率应用中无法正常启动。
    解决方案: 确认设备的工作环境温度和功率输出是否在规定范围内,检查是否有适当的散热措施。
    - 问题二: 开关延迟时间较长。
    解决方案: 优化电路设计,适当调整外部电阻值 \( RGEN \),降低延迟时间。
    - 问题三: 输入电容过高。
    解决方案: 选用具有更低输入电容的替代品,或在设计时考虑添加补偿电路。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    VP0550 在电机控制、电源管理和其他功率电路应用中表现出色。其独特的特性使其成为一种高效且可靠的器件选择。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和多功能的应用场景,VP0550 强烈推荐用于多种工业和商业项目中。在高要求应用中,微芯科技(Microchip)的产品质量和专业支持能够确保设备的可靠性和长期稳定性。

VP0550N3-G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1mA
最大功率耗散 1W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 70pF@25V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 54mA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 125Ω@ 10mA,10V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

VP0550N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VP0550N3-G数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VP0550N3-G VP0550N3-G数据手册

VP0550N3-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 1.265 ¥ 10.7146
250+ $ 1.1772 ¥ 9.7879
500+ $ 1.1024 ¥ 9.1612
1000+ $ 1.06 ¥ 8.6394
3000+ $ 1.0393 ¥ 8.5107
5000+ $ 1.0235 ¥ 8.3811
8000+ $ 1.0235 ¥ 8.3811
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