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JANTXV2N5153

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 5.5V 50μA 100V 80V 50μA TO-205AD,TO-39 通孔安装
供应商型号: 494-JANTXV2N5153
供应商: Mouser
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N5153

JANTXV2N5153概述

    PNP Power Silicon Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    本技术手册涵盖了Microsemi公司生产的PNP功率硅晶体管(PNP Power Silicon Transistor)的详细信息。该晶体管分为多个级别,包括2N5151、2N5153、2N5151L、2N5153L、2N5151U3、2N5153U3和JAN等型号。这些晶体管广泛应用于通信设备、工业自动化、航空航天和军事等领域。

    2. 技术参数


    以下是该PNP功率硅晶体管的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值(TA = +25°C)
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 80 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 100 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5.5 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 2.0 A
    - 总功率耗散 (PT):
    - 2N5151, 2N5153, L @ TA = +25°C: 1.0 W
    - 2N5151, 2N5153, L @ TC = +25°C: 10 W
    - 2N5151U3, 2N5153U3 @ TA = +25°C: 1.16 W
    - 2N5151U3, 2N5153U3 @ TC = +25°C: 100 W
    - 工作和存储结温范围 (TJ, Tstg): -65°C 到 +200°C
    - 热阻 (RθJC): 10°C/W (2N5151L, 2N5153L)
    - 1.75°C/W (2N5151U3, 2N5153U3)
    - 电气特性(TA = +25°C)
    - 开启特性
    - 增益 (hFE):
    - IC = 50mA, VCE = 5V: 20 至 90
    - IC = 2.5A, VCE = 5V: 30 至 200
    - 发射极-基极饱和电压 (VBE(sat)): 1.45 Vdc (IC = 2.5A, IB = 250mA)
    - 动态特性
    - 小信号短路发射极反向电流增益 (|hfe|):
    - IC = 500mA, VCE = 5V, f = 10MHz: 6 至 7
    - IC = 100mA, VCE = 5V, f = 1kHz: 20 至 50
    - 输出电容 (Cobo): 250 pF (VCB = 10Vdc, IE = 0, f = 1.0MHz)
    - 开关特性
    - 开通时间 (ton): 0.5 μs
    - 关断时间 (toff): 1.5 μs
    - 存储时间 (ts): 1.4 μs
    - 下降时间 (tf): 0.5 μs

    3. 产品特点和优势


    该PNP功率硅晶体管具有以下显著特点和优势:
    - 高额定电压:最高集电极-发射极电压可达80 Vdc,适用于高电压应用。
    - 大电流处理能力:最大集电极电流为2.0 A,适合大功率需求的应用场景。
    - 宽工作温度范围:-65°C 到 +200°C,适应极端环境条件。
    - 优异的热稳定性:低热阻设计,提高可靠性。
    - 快速开关特性:开通时间和关断时间分别为0.5 μs 和1.5 μs,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    该PNP功率硅晶体管广泛应用于通信设备、工业控制和军事系统。例如,在通信设备中,它可以作为放大器使用;在工业控制系统中,可以用于电机驱动和信号调理。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意功率耗散限制,适当降低电流或散热。
    - 为确保快速开关特性,应采用适当的驱动电路。

    5. 兼容性和支持


    该PNP功率硅晶体管与各种标准封装兼容,如TO-5、TO-39和U-3等。厂商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温环境下过热。
    - 解决方案:增加外部散热装置,降低工作电流或分担负载。
    - 问题2:晶体管在高频应用中表现不佳。
    - 解决方案:使用合适的驱动电路,调整驱动信号频率。

    7. 总结和推荐


    该PNP功率硅晶体管具备出色的电气特性和可靠性,适用于多种高要求的应用场景。其高电压、大电流处理能力和宽工作温度范围使其成为众多高端应用的理想选择。强烈推荐该产品用于需要高性能和高可靠性的场合。
    总之,这款PNP功率硅晶体管凭借其卓越的技术参数和广泛的适用性,无疑是市场上的一款优质产品。

JANTXV2N5153参数

参数
配置 -
最大功率耗散 1W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
VCBO-最大集电极基极电压 100V
集电极截止电流 50μA
晶体管类型 PNP
VEBO-最大发射极基极电压 5.5V
集电极电流 50μA
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 500mA,5A
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N5153厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N5153数据手册

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JANTXV2N5153封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 18.929 ¥ 159.9501
25+ $ 17.766 ¥ 150.1227
100+ $ 16.0545 ¥ 135.6605
250+ $ 16.044 ¥ 135.5718
500+ $ 16.0335 ¥ 135.4831
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