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JAN2N3700

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 500mW 7V 10nA 140V 80V 1A TO-18 通孔安装
供应商型号: JAN2N3700
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JAN2N3700

JAN2N3700概述

    2N3700 NPN 晶体管技术手册

    1. 产品简介


    2N3700 NPN晶体管是一款由Microsemi Corporation制造的低功率NPN硅晶体管。它采用了密封的金属TO-18外壳封装,非常适合高可靠性应用。2N3700晶体管通过MIL-PRF-19500/391认证,适用于军事级别的严苛环境。此外,该型号还可以选择多种不同的封装形式,如表面贴装的UB包封、引脚式TO-39包封、引脚式TO-5包封以及引脚式TO-46包封。

    2. 技术参数


    - 最高额定值
    - 结温和储存温度:-65°C 至 +200°C
    - 热阻抗(结到空气):325°C/W
    - 热阻抗(结到外壳):150°C/W
    - 集电极-发射极电压(VCEO):80V
    - 集电极-基极电压(VCBO):140V
    - 发射极-基极电压(VEBO):7V
    - 集电极电流(IC):1.0A
    - 功耗(PD):0.5W(TA = +25°C)或 1.0W(TC = +25°C)
    - 电气特性
    - 截止特性
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = 30mA):80V
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 140V):10μA
    - 发射极-基极截止电流(VEB = 7V):10μA
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 90V):10nA
    - 发射极-基极截止电流(VEB = 5.0V):10nA
    - 开启特性
    - 转移比(IC = 150mA, VCE = 10V):100
    - 饱和电压(IC = 150mA, IB = 15mA):0.2V
    - 基极-发射极饱和电压(IC = 150mA, IB = 15mA):1.1V
    - 动态特性
    - 小信号短路转移比(IC = 1.0mA, VCE = 5.0V, f = 1.0kHz):80至400
    - 输出电容(VCB = 10V, IE = 0, 100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz):12pF
    - 输入电容(VEB = 0.5V, IC = 0, 100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz):60pF

    3. 产品特点和优势


    2N3700 NPN晶体管具有以下几个显著特点和优势:
    - 高可靠性:该晶体管通过MIL-PRF-19500/391认证,满足军事级别的高可靠性标准。
    - 宽温度范围:可以在-65°C 至 +200°C 的极端温度下正常工作。
    - 多种封装选项:提供了多种封装形式,以适应不同应用场景的需求。
    - 轻量设计:采用密封的金属外壳,使其重量仅约0.3克。
    - 低功耗:在典型条件下,功耗仅为0.5W,适合对功耗要求严格的系统。

    4. 应用案例和使用建议


    2N3700 NPN晶体管广泛应用于军事、航空航天以及高可靠性要求的应用领域。例如,在雷达系统中,它可以用作开关器件,确保在极端环境下可靠运行。使用时需要注意以下几点:
    - 散热管理:由于其较高的热阻抗,需要合理布置散热片或采用强制冷却措施,以避免过热。
    - 负载匹配:根据具体应用场景,合理匹配集电极和发射极之间的电压和电流,确保安全操作区域内的正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2N3700 NPN晶体管可以与多种电子设备和模块兼容,尤其是在需要高可靠性的应用场景中。
    - 支持:Microsemi Corporation为用户提供全面的技术支持和售后服务,用户可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管工作时温度过高怎么办?
    解决方案:检查散热装置是否正常工作,并确保晶体管工作在其安全操作区域内。必要时可增加散热片或使用强制冷却措施。

    - 问题2:晶体管出现异常饱和电压怎么办?
    解决方案:检查电路中的电流和电压设置是否正确,确认是否有其他组件影响晶体管的工作状态。如有必要,调整电路参数或更换其他类型的晶体管。

    7. 总结和推荐


    2N3700 NPN晶体管以其卓越的可靠性和广泛的适用范围,成为高可靠性应用领域的理想选择。其坚固的设计和多样的封装选项,使得它能够在极端环境中保持稳定运行。如果您正在寻找一款能在恶劣环境下工作的晶体管,2N3700无疑是您的最佳选择。强烈推荐在需要高可靠性保障的场合使用该产品。

JAN2N3700参数

参数
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCBO-最大集电极基极电压 140V
集电极截止电流 10nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 50mA,500mA
晶体管类型 NPN
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 500mW
配置 -
通用封装 TO-18
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JAN2N3700厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JAN2N3700数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) MICROCHIP TECHNOLOGY JAN2N3700 JAN2N3700数据手册

JAN2N3700封装设计

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