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VN2222LL-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 230 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: NA-VN2222LL-G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN2222LL-G

VN2222LL-G概述

    电子元器件产品技术手册:VN2222LL N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

    产品简介


    VN2222LL 是一款由 Supertex 公司生产的 N 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical DMOS FET)。它具有出色的功率处理能力、高输入阻抗和正温度系数等特性,广泛应用于电机控制、转换器、放大器、开关和电源电路等领域。此外,VN2222LL 还适用于驱动继电器、锤子、螺线管、灯泡、存储器、显示器、双极晶体管等多种设备。

    技术参数


    以下是 VN2222LL 的关键技术和电气特性参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(BVDSS):60V
    - 漏栅电压(BVDGS):±30V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 典型热阻
    - 结点至外壳热阻(θja):132°C/W(TO-92 封装)
    - 电气特性
    - 击穿电压(BVDSS):60V
    - 门限电压(VGS(th)):0.6V 至 2.5V
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)):最大值为 7.5Ω(VGS=5.0V,ID=200mA;VGS=10V,ID=500mA)
    - 导通电流(ID(ON)):最小值为 750mA(VGS=10V,VDS=10V)
    - 转移电导(GFS):100mmho(VDS=10V,ID=500mA)

    产品特点和优势


    1. 自由二次击穿:避免了热失控和热引发的二次击穿现象,提高了器件的可靠性。
    2. 低功率驱动需求:所需驱动功率较低,有利于节省能源。
    3. 易于并联:具备良好的并联性能,简化了多器件的应用设计。
    4. 低输入电容和快速开关速度:CISS 输入电容为 60pF(VGS=0V,VDS=25V),有助于提高系统的工作频率。
    5. 优秀的热稳定性:能够在广泛的温度范围内保持稳定的性能。
    6. 集成源漏二极管:内部集成了源漏二极管,提升了整体的可靠性和集成度。
    7. 高输入阻抗和增益:适用于高输入阻抗和高增益要求的应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:适用于需要精确控制电机速度和方向的应用,例如机器人和自动化设备。
    - 转换器:在电源转换器中作为开关器件使用,提升效率。
    - 放大器:用于信号放大电路,保证输出信号的纯净度和稳定度。
    - 电源电路:适用于直流电源电路的设计,提高电源的稳定性和效率。
    使用建议:
    1. 散热管理:在高电流环境下使用时,注意适当的散热措施以避免热失效。
    2. 信号完整性:在高频应用中,考虑到低输入电容的特点,合理设计电路以减少信号衰减和失真。
    3. 驱动电路设计:选择合适的驱动电压和电流,确保器件能稳定工作。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:VN2222LL 采用 TO-92 封装,可与市面上常见的 TO-92 封装元器件兼容。
    - 制造商支持:Supertex 提供详尽的技术文档和支持,用户可通过官方网站获取最新资料及技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何正确选择驱动电压?
    - A: 通常情况下,驱动电压应设置在 VGS 的中间值附近,如 5V 至 10V 之间,以保证良好的导通特性和较小的功耗。
    2. Q: 如何处理过温保护问题?
    - A: 可通过增加外部散热片或利用散热风扇来改善散热效果。同时,可在电路中加入过温保护电路,如温度传感器监控温度并及时切断电路。
    3. Q: 在高频应用中如何降低噪声干扰?
    - A: 选用低输入电容的器件,合理布局走线以减少寄生电感和电容,从而降低噪声干扰。

    总结和推荐


    VN2222LL 是一款具有高可靠性和高效能的 N 沟道增强型垂直 DMOS FET,适用于多种高要求的应用场合。其独特的设计特点使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高精度和高性能的应用,VN2222LL 是一个值得推荐的选择。为了确保最佳性能和长期稳定性,建议用户在使用前详细阅读技术手册并遵循相关指南。

VN2222LL-G参数

参数
最大功率耗散 400mW(Ta),1W(Tc)
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 230mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 60pF@25V
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

VN2222LL-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN2222LL-G数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VN2222LL-G VN2222LL-G数据手册

VN2222LL-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.3132 ¥ 2.706
500+ $ 0.2916 ¥ 2.5194
1000+ $ 0.2808 ¥ 2.4261
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