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UM6K1NA-TP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300mW 20V 1.5V@ 250µA 1.28nC@ 10V 2个N沟道 30V 750mΩ@ 300mA,10V 28pF@15V SOT-363 贴片安装
供应商型号: UM6K1NA-TP DUAL MOSFET 30V,0.5A, SOT-363
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 场效应管(MOSFET) UM6K1NA-TP

UM6K1NA-TP概述

    # UM6K1NA 电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型与功能
    UM6K1NA 是一款高性能的小尺寸 N 沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement MOSFET),采用 SOT-363 封装形式。该器件专为低导通电阻(RDS(on))设计,广泛应用于高频开关电路、便携式电源管理以及各种小型化电子设备中。
    应用领域
    UM6K1NA 的主要应用领域包括但不限于:
    - DC/DC 转换器
    - 开关电源设计
    - 高频功率放大器
    - 驱动电路
    - 消费类电子产品(如手机、平板电脑等)

    2. 技术参数


    以下是 UM6K1NA 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 工作温度范围 °C | -55 +150 |
    | 热阻 | RθJA | °C/W 416
    | 连续漏极电流 | ID | mA | 300 500 |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | V 30
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | µA 1
    | 导通电阻 | RDS(on) | mΩ 424 | 960 |
    | 输入电容 | Ciss | pF 13.9
    | 输出电容 | Coss | pF 6
    | 门电荷 | Qg | nC 0.8

    3. 产品特点和优势


    产品特点
    1. 高密度单元设计:低导通电阻(RDS(on))的设计保证了更高的效率和更低的功耗。
    2. 绿色环保:符合 RoHS 标准,无卤素,材料安全性更高。
    3. 卓越热管理:最大工作温度范围(-55°C 至 +150°C),支持严苛的工作环境。
    4. 兼容性:与主流设备具有良好的兼容性,适合多种封装需求。
    产品优势
    - 高效节能:适用于低电压、大电流的场景。
    - 可靠性强:高抗静电保护等级及耐用性。
    - 易用性强:体积小巧,适合 PCB 布局紧凑的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例
    UM6K1NA 广泛应用于便携式设备的电源管理模块中,比如充电电路、USB 接口供电系统。此外,在高频逆变器中也能够发挥出色的表现。
    使用建议
    - 在实际设计中,确保驱动信号电压满足 VGS ≥ VGS(th),以实现最佳导通效果。
    - 注意热管理,合理选择散热片或增加 PCB 散热区域,特别是在高功率运行条件下。
    - 在高压环境下,避免长时间处于接近击穿电压(V(BR)DSS)的工作状态。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    UM6K1NA 支持 SOT-363 封装标准,与其他常见的 SMD(表面贴装器件)封装具有良好的互换性。该器件可直接替换同类产品以适应现有设计。
    厂商支持
    Micro Commercial Components Corp. 提供全面的技术文档和技术支持服务,确保客户在开发过程中获得及时帮助。同时,通过官方网站可以获取详细的包装信息和产品说明。

    6. 常见问题与解决方案


    问题 1:器件发热严重
    解决方案
    检查电路布局是否合理,确保器件周围有足够的散热空间。若仍未改善,考虑增加散热片或改进 PCB 设计以加强导热路径。
    问题 2:频繁出现击穿现象
    解决方案
    确认实际工作电压低于额定击穿电压(V(BR)DSS),并检查是否存在异常脉冲输入导致瞬时过压。
    问题 3:驱动信号无法正常控制
    解决方案
    验证驱动电路是否提供足够的门电压(VGS),确保 VGS ≥ VGS(th)。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    UM6K1NA 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,具备出色的热稳定性和超低导通电阻,非常适合作为小型化电子设备中的核心组件。它在消费电子、通信设备及工业控制等领域展现出极大的潜力。
    推荐结论
    强烈推荐使用 UM6K1NA,尤其对于对空间和能效要求较高的设计场景。厂商提供的全面技术支持和丰富的资料也为开发者提供了便利。

UM6K1NA-TP参数

参数
栅极电荷 1.28nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 300mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 28pF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 300mW
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UM6K1NA-TP厂商介绍

Micro Commercial Components(MCC)是一家知名的电子元件分销商,专注于为全球客户提供广泛的电子元件和解决方案。MCC主营产品包括集成电路(IC)、被动元件(如电阻、电容)、连接器、半导体器件等,覆盖了从消费电子到工业控制、汽车电子等多个应用领域。

MCC的优势在于其广泛的产品线和强大的供应链管理能力。公司与多家顶级制造商建立了稳固的合作关系,能够为客户提供从设计、采购到物流的一站式服务。此外,MCC还提供技术支持和定制解决方案,帮助客户解决复杂的技术挑战。通过其全球分销网络,MCC能够快速响应客户需求,提供高效的物流和配送服务,确保客户项目按时完成。MCC的这些优势使其在激烈的市场竞争中脱颖而出,成为客户信赖的合作伙伴。

UM6K1NA-TP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 场效应管(MOSFET) MICRO COMMERCIAL COMPONENTS UM6K1NA-TP UM6K1NA-TP数据手册

UM6K1NA-TP封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1598
6000+ ¥ 0.1571
9000+ ¥ 0.1531
库存: 60000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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