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MDF5N50BTH

产品分类: 其他电源管理芯片
产品描述: MagnaChip N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 5 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 其他电源管理芯片 MDF5N50BTH

MDF5N50BTH概述

    # MDP5N50B/MDF5N50B N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    MDP5N50B 和 MDF5N50B 是由 MagnaChip Semiconductor Ltd. 生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有500V的耐压能力及高达5.0A的连续漏极电流。这些器件广泛应用于开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)以及一般用途的电力系统中。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | MDP5N50B | MDF5N50B | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 500 | 500 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 5.0 | 5.0 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 20 | 20 | A |
    | 功率耗散 | PD | 93 | 27 | W |
    | 重复雪崩能量 | EAR | 9.3 | 9.3 | mJ |
    | 峰值二极管恢复 | dv/dt | 4.5 | 4.5 | V/ns |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 230 | 230 | mJ |
    | 结温和存储温度 | TJ, Tstg | -55~150 | -55~150 | °C |
    静态电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | ID = 250µA, VGS = 0V | 500 | - | - | V |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250µA | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏极截止电流 | IDSS | VDS = 500V, VGS = 0V | - | - | 1 | µA |
    | 栅泄漏电流 | IGSS | VGS = ±30V, VDS = 0V | - | - | 100 | nA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS = 10V, ID = 2.5A | - | 1.15 | 1.4 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS = 25V, VGS = 0V, f=1.0MHz | - | - | 513 | pF |

    产品特点和优势


    MDP5N50B 和 MDF5N50B 的主要特点是其低导通电阻(1.4Ω)和高开关性能。它们使用了 MagnaChip 的先进 MOSFET 技术,确保了出色的稳定性和可靠性。此外,其广泛的适用范围使其在多种应用中具有显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    MDP5N50B 和 MDF5N50B 广泛用于 SMPS(开关模式电源)、PFC(功率因数校正)和通用电力系统中。例如,在一个典型的开关电源设计中,这些 MOSFET 可以有效地管理高电压和大电流,提供高效的能源转换。
    使用建议
    在使用 MDP5N50B 和 MDF5N50B 时,建议遵循以下几点:
    - 确保栅极驱动信号不会超过±30V。
    - 控制散热以避免过高的结温导致损坏。
    - 在选择外部元件时,考虑 MOSFET 的寄生电容特性。

    兼容性和支持


    MDP5N50B 和 MDF5N50B 分别采用 TO-220 和 TO-220F 封装形式,便于安装和替换。Magnachip 为这些产品提供了全面的技术支持和售后服务。客户可以通过位于全球不同地区的办事处获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何避免过热?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如添加散热片和风扇,控制功率耗散。
    2. 如何防止过电压?
    - 解决方案:合理设置栅极驱动电压,避免超过最大允许的栅源电压。
    3. 如何优化导通电阻?
    - 解决方案:在合适的工作条件下(如10V栅极电压下),尽量保持工作在低阻态区域。

    总结和推荐


    MDP5N50B 和 MDF5N50B 具有出色的性能和可靠性,适用于多种高压和大电流应用场景。通过其低导通电阻和高开关性能,这些 MOSFET 能有效提升系统的效率和稳定性。因此,我强烈推荐这些产品用于需要高可靠性和高性能的应用场合。

MDF5N50BTH参数

参数
最小工作供电电压 -
最大工作供电电压 -
长*宽*高 10.71mm(长度)
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装

MDF5N50BTH厂商介绍

MagnaChip Semiconductor是一家全球领先的半导体公司,专注于模拟和混合信号半导体产品的设计、制造和销售。公司的产品主要分为三大类:移动通信、显示和工业应用。

1. 移动通信:MagnaChip提供多种移动通信相关产品,包括移动应用处理器、射频(RF)解决方案和电源管理集成电路(PMIC)。这些产品广泛应用于智能手机、平板电脑和其他移动设备。

2. 显示:MagnaChip的显示产品包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)驱动器。这些驱动器用于控制显示器的亮度和色彩,广泛应用于电视、显示器和手机等设备。

3. 工业应用:MagnaChip还提供工业应用相关的半导体产品,如电机驱动器和电源管理解决方案。这些产品广泛应用于工业自动化、医疗设备和能源管理等领域。

MagnaChip的优势在于其强大的研发能力和丰富的产品线,能够满足不同客户的需求。此外,公司还拥有先进的制造技术和严格的质量控制,确保产品的高性能和可靠性。

MDF5N50BTH数据手册

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MDF5N50BTH封装设计

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