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LG100N10AD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: LG100N10AD TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 40
LX MICRO/广东凌讯微 场效应管(MOSFET) LG100N10AD

LG100N10AD概述

    LG100N10AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    LG100N10AD 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流需求的应用设计。它适用于电源管理、电机驱动、电流切换等多种场合。该器件采用 TO-252 封装,具有出色的性能和可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅源电压:±20V
    - 漏源电压:100V
    - 持续漏极电流:100A
    - 脉冲漏极电流(注意1):360A
    - 功耗:96W
    - 单脉冲雪崩能量(注意1):216mJ
    - 结温范围:-55℃ 至 +150℃
    - 热阻(结至壳):1.7°C/W
    - 热阻(结至环境):50°C/W
    - 电气特性
    - 击穿电压(栅源电压为0V,漏源电流为250μA):100V
    - 漏源泄漏电流(漏源电压为100V,栅源电压为0V):1μA
    - 栅漏电流(栅源电压为±20V,漏源电压为0V):±100nA
    - 栅源阈值电压(漏源电压等于栅源电压,漏源电流为250μA):1.2V 至 2.5V
    - 漏源导通电阻(栅源电压为10V,漏源电流为20A):5.3mΩ 至 6.4mΩ
    - 输入电容(漏源电压为50V,栅源电压为0V,频率为1MHz):2420pF
    - 输出电容:900pF
    - 反向传输电容:35pF
    - 开启延迟时间(注意2):11.2ns
    - 上升时间(注意2):23ns
    - 关闭延迟时间(注意2):38ns
    - 下降时间(注意2):15.3ns
    - 总栅极电荷(注意2):43nC
    - 栅极至源极电荷(注意2):9.4nC
    - 栅极至漏极电荷(注意2):10.3nC
    - 最大体二极管连续电流:100A
    - 源漏二极管正向电压(栅源电压为0V,源漏电流为20A,结温为25℃):1.2V
    - 反向恢复时间(注意2):42ns
    - 反向恢复电荷(注意2):46nC

    产品特点和优势


    LG100N10AD 具有以下显著特点:
    - 最优性能指标:其性能指标(FOM)处于同类产品中的领先地位。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷有助于提高开关速度,降低能耗。
    - 高电流能力:能够处理高达100A的持续电流,适合高功率应用。
    - 高可靠性:采用UL认证的94V-0级材料,符合RoHS标准,确保长期使用安全可靠。

    应用案例和使用建议


    LG100N10AD 主要应用于以下几个领域:
    - 电信和工业自动化:用于各种电源管理系统。
    - 电机驱动:适合于电动工具、电动汽车和机器人等领域。
    - 直流到直流及交流到直流子系统:用于电流切换应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应确保散热良好以避免过热。
    - 在高电流应用中,注意不要超过最大额定值以防止损坏。

    兼容性和支持


    LG100N10AD 与其他标准TO-252封装的电子元件具有良好的兼容性。生产商提供全面的技术支持,包括应用指南、样本资料和在线咨询服务,以帮助用户更好地使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确安装LG100N10AD?
    - A:请严格按照制造商提供的安装指南进行操作,确保正确安装以获得最佳性能。
    - Q:如果在高温环境下使用,应该注意什么?
    - A:在高温环境下使用时,应确保良好的散热措施,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - Q:遇到异常发热现象怎么办?
    - A:检查电路连接是否正确,负载是否超出了额定范围,必要时请联系技术支持。

    总结和推荐


    LG100N10AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种高电流需求的应用场合。其优异的性能指标、低栅极电荷和高电流能力使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高效率、高可靠性的应用场景中使用。

LG100N10AD参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通用封装 TO-252

LG100N10AD厂商介绍

LX MICRO公司是一家领先的微电子技术解决方案提供商,专注于为全球客户提供高性能的微电子产品和服务。公司主营产品包括集成电路(IC)、微控制器(MCU)、传感器、存储器等,广泛应用于工业自动化、消费电子、汽车电子、医疗设备、通信技术等多个领域。

LX MICRO的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,以保持技术领先优势。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
4. 快速响应:高效的供应链管理,确保快速响应客户需求,缩短交货周期。
5. 客户支持:专业的技术支持团队,为客户提供全方位的技术支持和售后服务。

LG100N10AD数据手册

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LX MICRO/广东凌讯微 场效应管(MOSFET) LX MICRO/广东凌讯微 LG100N10AD LG100N10AD数据手册

LG100N10AD封装设计

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