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IXTY1R4N120P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 86W 30V 24.8nC@ 10V 1.2KV 13Ω@ 10V 666pF@ 25V TO-252AA
供应商型号: IXTY1R4N120P-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P概述

    IXTY1R4N120PHV, IXTA1R4N120P, IXTY1R4N120P 和 IXTP1R4N120P 产品技术手册

    1. 产品简介


    IXTY1R4N120PHV、IXTA1R4N120P、IXTY1R4N120P 和 IXTP1R4N120P 是由IXYS公司生产的高性能 N-通道增强型功率 MOSFET。这些器件广泛应用于直流到直流转换器、开关模式和共振模式电源、交流和直流电机驱动器、激光放电电路、火花点火器、射频发生器及高压脉冲功率应用。它们具备高功率密度、易于安装以及节省空间等显著优势。

    2. 技术参数


    - 电压特性:
    - 击穿电压 \( V{DSS} \):1200V(\( V{DGR} \) 和 \( V{DSS} \) 同样为 1200V)
    - 最大栅源电压 \( V{GSS} \):连续为 ±30V,瞬态为 ±40V
    - 最大漏极电流 \( I{D25} \):1.4A(25°C)
    - 脉冲最大漏极电流 \( I{DM} \):3.0A(25°C)
    - 电阻特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):≤ 13Ω(\( V{GS} \) = 10V,\( I{D} \) = 0.5 × \( I{D25} \))
    - 电气特性:
    - 极限温度范围:存储温度 \( T{stg} \):-55°C 至 +150°C;工作温度 \( T{J} \):-55°C 至 +150°C
    - 极大功率耗散 \( PD \):25°C时为86W
    - 封装和重量:
    - 封装形式:TO-252/TO-252HV、TO-263、TO-220
    - 重量:TO-252/TO-252HV 为 0.35g;TO-263 为 2.50g;TO-220 为 3.00g

    3. 产品特点和优势


    这些功率 MOSFET 具备多种特点和优势,具体如下:
    - 国际标准封装,确保了良好的一致性和互换性。
    - 低栅极电荷(Low QG),提高了效率并减少了发热。
    - 雪崩击穿额定值(Avalanche Rated),确保在极端条件下的可靠性。
    - 低封装电感(Low Package Inductance),提高开关速度。
    - 内置快速二极管(Fast Intrinsic Rectifier),简化设计并降低功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    这些器件适用于各种电源管理和控制应用,例如:
    - 直流到直流转换器(DC-DC Converter);
    - 开关模式电源(Switch-Mode Power Supply);
    - 交流和直流电机驱动(AC and DC Motor Drives)。
    使用建议:
    - 确保正确的散热管理以避免过热;
    - 使用合理的 PCB 布局以减少寄生电感和电容的影响;
    - 在高压应用中需要特别注意电气隔离和防护措施。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容国际标准封装,适用于多数现有的电路板设计。
    - 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和测试报告。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻(\( R{DS(on)} \))偏高
    - 解决方案: 检查连接是否正确,确保栅极电压(\( V{GS} \))达到所需水平。
    - 问题:过载保护失效
    - 解决方案: 检查电路设计,确认保护机制设置正确。
    - 问题:开关损耗高
    - 解决方案: 优化电路布局,减小寄生电感,选择合适的栅极电阻(\( R{G} \))。

    7. 总结和推荐


    总体来说,IXTY1R4N120PHV、IXTA1R4N120P、IXTY1R4N120P 和 IXTP1R4N120P 是一款高效、可靠的功率 MOSFET,具有优异的性能和广泛的应用前景。我们强烈推荐在电力电子系统的设计中选用这些器件,特别是对于需要高功率密度和高可靠性的应用。

IXTY1R4N120P参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Rds(On)-漏源导通电阻 13Ω@ 10V
栅极电荷 24.8nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 86W
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 666pF@ 25V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252AA
包装方式 管装

IXTY1R4N120P厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXTY1R4N120P数据手册

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IXTY1R4N120P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.2624 ¥ 44.0397
70+ $ 2.6135 ¥ 21.8719
140+ $ 2.3889 ¥ 19.9919
560+ $ 2.0411 ¥ 17.0816
1050+ $ 1.9356 ¥ 16.1983
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