处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH02N250

IXTH02N250

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 83W 20V 4.5V 7.4nC@ 10V 1个N沟道 2.5KV 450Ω@ 10V 116pF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: 3930077
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXTH02N250

IXTH02N250概述


    产品简介


    IXTA02N250、IXTH02N250 和 IXTV02N250S 是由 IXYS 公司生产的高压功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些 MOSFET 器件具有 N 沟道增强模式,并配备了快速内在二极管,适用于高电压电源、电容器放电和脉冲电路等多种应用场合。

    技术参数


    以下是 IXYS 高压功率 MOSFET 的技术参数摘要:
    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压 (VDSS):2500 V
    - 栅源击穿电压 (VGSS):±20 V
    - 最大连续漏电流 (ID25):200 mA (25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):600 mA (25°C)
    - 最大耗散功率 (PD):83 W (25°C)
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 焊接温度 (TL):300°C (1.6 mm 长度,10 秒)
    - 表面贴装温度 (TSOLD):260°C (塑料外壳,10 秒)
    - 特征值
    - 最大漏源电压 (BVDSS):2500 V (VGS=0V, ID=250μA)
    - 阈值电压 (VGS(th)):2.5 V 至 4.5 V
    - 栅漏漏电流 (IGSS):±100 nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 饱和漏电流 (IDSS):5 μA (TJ=125°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):≤ 450 Ω (VGS=10V, ID=50mA)
    - 增益 (gfs):88 至 145 mS (VDS=100V, ID=0.5 • ID25)
    - 输入电容 (Ciss):116 pF
    - 输出电容 (Coss):8 pF
    - 反向传输电容 (Crss):3 pF
    - 导通时间 (td(on)):19 ns
    - 关断时间 (td(off)):32 ns
    - 最大结温 (TJ):150°C
    - 热阻 (RthJC):1.5°C/W (TO-247 & PLUS220)
    - 反向恢复时间 (trr):1.5 μs

    产品特点和优势


    IXTA02N250、IXTH02N250 和 IXTV02N250S 具备以下特点和优势:
    - 快速内在二极管:适合需要快速开关特性的应用。
    - 低封装电感:减少寄生效应,提高整体性能。
    - 易于安装:提供多种封装形式,方便不同的安装需求。
    - 节省空间:紧凑的设计有助于简化系统设计。

    应用案例和使用建议


    IXTA02N250、IXTH02N250 和 IXTV02N250S 在以下应用中表现出色:
    - 高电压电源:适合用于高压电源转换,确保高效稳定运行。
    - 电容器放电:利用快速内在二极管特性进行高效的能量释放。
    - 脉冲电路:低导通电阻和快速开关时间使其在脉冲电路中表现优异。
    使用建议:
    - 在高电压环境下使用时,确保电路设计符合相关的安全规范。
    - 使用外部栅极电阻 (RG=100Ω) 可以进一步优化性能。
    - 确保散热设计合理,避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该系列产品与多种其他电子元件兼容,具体请参考官方资料。
    - 支持:IXYS 提供技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用这些产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动
    - 解决方案:检查电源连接和接地是否正确,确保电源电压在额定范围内。
    - 问题2:发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或采用水冷等冷却方式。
    - 问题3:导通电阻异常增大
    - 解决方案:确认栅极电压是否符合要求,适当增加栅极驱动电压。

    总结和推荐


    总体来看,IXTA02N250、IXTH02N250 和 IXTV02N250S 高压功率 MOSFET 在性能、可靠性和易用性方面表现出色。这些产品特别适合于高电压电源、电容器放电和脉冲电路等应用。考虑到其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐使用这些器件来构建高性能、可靠且稳定的电力系统。

IXTH02N250参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 83W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 2.5KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 116pF@25V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 450Ω@ 10V
栅极电荷 7.4nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.46mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXTH02N250厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXTH02N250数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXTH02N250 IXTH02N250数据手册

IXTH02N250封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 105.4722
5+ ¥ 101.2533
10+ ¥ 92.8156
50+ ¥ 92.8156
100+ ¥ 92.8156
库存: 249
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 105.47
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504