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IXFN82N60P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 1.04KW 30V 5V 240nC@ 10V 2个N沟道 600V 75mΩ@ 10V 72A 23nF@ 25V SOT 贴片安装
供应商型号: SCE-IXFN82N60P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFN82N60P

IXFN82N60P概述


    产品简介


    IXFN82N60P 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(场效应晶体管),属于 PolarTM HiPerFETTM 系列。该产品具有快速固态整流器和雪崩耐受能力,适用于多种高功率应用,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源以及不间断电源等。其卓越的低导通电阻(RDS(on))特性使得它在各种电力控制和转换过程中表现优异。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS): 600 V
    - 栅源电压(VGSS): ±30 V (连续), ±40 V (瞬态)
    - 漏极电流(ID): 72 A (TC = 25°C), 200 A (脉冲宽度受TJM限制)
    - 导通电流(IA): 82 A (TC = 25°C)
    - 雪崩能量(EAS): 5J (TC = 25°C)
    - dv/dt: 20 V/ns (IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C)
    - 耗散功率(PD): 1040 W (TC = 25°C)
    - 温度范围
    - 结温(TJ): -55 ... +150 °C
    - 最高结温(TJM): 150 °C
    - 储存温度(Tstg): -55 ... +150 °C
    - 标准条件下的特征值
    - 阈值电压(VGS(th)): 3.0 - 5.0 V (VDS = VGS, ID = 8mA)
    - 导通电阻(RDS(on)): 75 mΩ (VGS = 10V, ID = 41A)
    - 互导增益(gfs): 50 - 80 S (VDS = 20V, ID = 41A)
    - 输入电容(Ciss): 23 nF
    - 输出电容(Coss): 1490 pF
    - 反向传输电容(Crss): 200 pF
    - 上升时间(tr): 23 ns
    - 下降时间(td(off)): 79 ns
    - 存储时间(tf): 24 ns
    - 门电荷(Qg): 240 nC (VDS = 300V, ID = 41A, IG = 10mA)

    产品特点和优势


    IXFN82N60P 的主要特点是其国际标准封装,miniBLOC 设计,以及铝氮化物绝缘层。此外,它还具备动态 dv/dt 评级、雪崩耐受能力和快速固态整流器等优点。这些特性使其在多个应用领域表现出色,如 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和共振模式电源供应器以及不间断电源系统。IXFN82N60P 具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷,使得它在功率转换和控制中非常高效。此外,它还具有低源漏极电容和低封装电感,进一步提高了其性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IXFN82N60P 广泛应用于多种高功率应用。例如,在 DC-DC 转换器中,它的高效能可以显著提高电源转换效率。在不间断电源系统中,它的高可靠性和低功耗确保了系统的稳定运行。
    使用建议
    在使用 IXFN82N60P 时,需要特别注意其工作温度范围和最大电流限制。为避免热过载,应在设计中考虑良好的散热措施,如采用散热片或风扇。此外,对于高频率应用,应适当增加驱动电路的阻抗以减少门极振铃现象,从而提高系统的可靠性。

    兼容性和支持


    IXFN82N60P 采用标准 SOT-227B (IXFN) 封装,便于与其他电子元器件和设备集成。制造商 IXYS 提供详细的技术支持和维护信息,包括安装扭矩、终端连接扭矩及重量等信息,确保用户能够正确安装和维护该产品。此外,IXYS 还提供了全面的专利保护和售后服务,用户可以放心使用。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 发热问题:在长时间高电流应用中,产品可能出现过热现象。
    2. 振铃现象:在高频应用中,门极电压可能产生振铃,影响系统稳定性。
    3. 噪音问题:在某些应用中,可能会出现电磁干扰噪音。
    解决方案
    1. 改善散热:使用散热片或风扇以有效散热,防止过热。
    2. 调整驱动电路:通过增加驱动电路的阻抗来减少门极振铃现象。
    3. 屏蔽和接地:采取有效的屏蔽和接地措施,减少电磁干扰噪音。

    总结和推荐


    总体而言,IXFN82N60P 是一款高效、可靠的 N 沟道增强型 MOSFET,具备低导通电阻和快速响应速度,适合多种高功率应用。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为电力转换和控制领域的优选。强烈推荐此产品给需要高性能、可靠性和高效率电力解决方案的设计工程师。

IXFN82N60P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23nF@ 25V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 1.04KW
Id-连续漏极电流 72A
栅极电荷 240nC@ 10V
通道数量 -
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 管装

IXFN82N60P厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFN82N60P数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFN82N60P IXFN82N60P数据手册

IXFN82N60P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 488.9058
5+ ¥ 413.5965
10+ ¥ 375.9969
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