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IXFH12N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 463W 30V 80nC@ 10V 1KV 1.05Ω@ 10V 4.08nF@ 25V 通孔安装
供应商型号: IXFH12N100P-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFH12N100P

IXFH12N100P概述


    产品简介


    IXFH12N100P / IXFV12N100P / IXFV12N100PS 电子元器件
    类型:P-通道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:该电子元器件适用于高压应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDSS),能够快速开关且具有较低的栅极电荷(Qg)。其内部快恢复二极管可在关断时减少反向恢复时间(trr),从而提高系统的效率。
    应用领域:
    - 开关模式电源
    - 谐振模式电源
    - 直流-直流转换器
    - 激光驱动器
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制系统

    技术参数


    最大额定值:
    - 击穿电压(VDSS):1000V
    - 最大连续栅极电压(VGSS):±30V
    - 最大脉冲栅极电压(VGSM):±40V
    - 最大漏电流(ID25):12A
    - 最大瞬态耗散功率(PD):463W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
    典型特征值:
    - 导通电阻(RDS(on)):1.05Ω
    - 门极输入电阻(RGi):1.9Ω
    - 输入电容(Ciss):4080pF
    - 输出电容(Coss):246pF
    - 反馈电容(Crss):40pF
    - 上升时间(td(on)):30ns
    - 下降时间(td(off)):60ns
    - 高频热阻(RthJC):0.27°C/W

    产品特点和优势


    特点:
    - 低导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg)
    - 高功率密度
    - 快速的内在二极管
    - 低封装电感
    - 易于安装
    优势:
    - 高效的系统性能,特别是在开关模式和谐振模式电源应用中
    - 较小的空间占用,适合紧凑设计
    - 简化安装过程,降低组装成本

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在开关模式电源中,可以用于将输入电源高效转换为所需的输出电压
    - 在直流-直流转换器中,作为控制和调节电路的关键组件
    - 在激光驱动器中,用于精确控制激光器的工作状态
    使用建议:
    - 使用时注意散热设计,避免高温导致性能下降
    - 遵循正确的安装扭矩(TO-247)和安装力(PLUS220),以确保良好的电气连接
    - 根据具体的应用场景选择合适的驱动电路,以实现最佳性能

    兼容性和支持


    - 本产品可与多种其他电子元器件配合使用,例如:驱动IC、控制器等
    - IXYS公司提供详细的技术文档和支持,以帮助用户正确使用该产品
    - 有关具体兼容性信息和技术支持,用户可参考制造商提供的数据表和应用指南

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下无法正常工作
    - 解决方案:检查散热设计是否足够,确保工作温度在规定的范围内
    2. 问题:产品的导通电阻(RDS(on))偏高
    - 解决方案:检查驱动电路是否正确配置,确认是否提供了足够的栅极电压
    3. 问题:产品的栅极电荷(Qg)过高
    - 解决方案:调整驱动电路参数,优化驱动信号的波形,减少充电时间

    总结和推荐


    总体而言,IXFH12N100P / IXFV12N100P / IXFV12N100PS MOSFET 在性能和应用方面表现出色,特别适用于需要高效、快速响应的应用场景。其低导通电阻、高功率密度和易安装的特点使其成为市场上竞争力较强的产品之一。对于需要高性能、紧凑设计的应用,我们强烈推荐使用此系列的电子元器件。
    希望以上内容对您有所帮助!如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请随时联系我们。

IXFH12N100P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.08nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 10V
最大功率耗散 463W
栅极电荷 80nC@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
16.24mm(Max)
5.3mm(Max)
25.94mm(Max)
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXFH12N100P厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFH12N100P数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFH12N100P IXFH12N100P数据手册

IXFH12N100P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 9.9944 ¥ 83.6406
30+ $ 6.353 ¥ 53.1668
120+ $ 5.3965 ¥ 45.1618
510+ $ 4.9809 ¥ 41.6839
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