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IXTP76P10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 298W(Tc) 15V 4V@ 250µA 197nC@ 10 V 1个P沟道 100V 25mΩ@ 38A,10V 13.7nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: 3771795
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXTP76P10T

IXTP76P10T概述

    # IXYS P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXYS 公司的 IXTT76P10THV、IXTA76P10T、IXTP76P10T 和 IXTH76P10T 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET(场效应晶体管)。这些 MOSFET 集成了卓越的电气特性,适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器和电池充电器应用等领域。
    主要特点
    - 国际标准封装
    - 雪崩击穿额定值
    - 扩展的 FBSOA(前端安全操作区域)
    - 快速体二极管
    - 低 RDS(on) 和 QG

    技术参数


    以下是这些 MOSFET 的主要技术参数,以确保用户能更好地理解和应用这些产品:
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 最大漏源电压 | VDSS | 100 | V |
    | 漏极连续电流 | ID25 | -76 | A |
    | 最大栅极对源极电压 | VGSS | ±15 | V |
    | 最大功率耗散 | PD | 298 | W |
    | 工作温度范围 | TJ | -55...+150 | °C |
    | 最大结温 | TJM | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55...+150 | °C |
    | 引脚最大焊接温度 | TL | 300 | °C |
    | 引脚焊接时的最大时间 | TSOLD | 10 | s |
    电气特性
    - 输入电容 (Ciss): 13.7 nF
    - 输出电容 (Coss): 890 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 275 pF
    - 上升时间 (tr): 40 ns
    - 下降时间 (tf): 20 ns

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 易于安装: 这些 MOSFET 具有简单的封装设计,使得安装过程变得简单快捷。
    - 节省空间: 尺寸紧凑的设计减少了 PCB 上的占用空间,提高了集成度。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 仅 25 mΩ,降低了导通损耗,提高了效率。
    - 快速恢复二极管: 内置的快速恢复二极管提高了整体效率和可靠性。
    - 高可靠性: 雪崩击穿额定值增强了产品的耐用性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 高侧开关: 这些 MOSFET 在高侧开关应用中表现出色,可以有效地控制电源路径。
    - 推挽放大器: 在推挽放大器中,它们能够实现高效的信号放大。
    - 直流斩波器: 在直流斩波器中,它们提供了可靠的电流控制能力。
    - 电池充电器: 适用于需要高效、可靠充电的应用场景。
    使用建议
    - 热管理: 在高功率应用中,确保良好的散热措施以防止过热。
    - 正确连接: 按照推荐的接线图正确连接引脚,避免错误连接导致损坏。
    - 负载匹配: 确保负载与 MOSFET 的额定参数相匹配,以提高系统可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性
    这些 MOSFET 兼容多种标准封装,如 TO-220、TO-247 和 TO-263,便于与不同的 PCB 和散热器配合使用。
    厂商支持
    IXYS 提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排除手册。用户可以通过官方网站或技术支持团队获得帮助。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 过热问题
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器,增加 PCB 空间以便空气流通。
    2. 错误接线
    - 解决方案: 仔细检查接线图,确保所有引脚按正确顺序连接。
    3. 性能不稳定
    - 解决方案: 检查是否符合所有电气特性要求,确保工作温度在规定的范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    IXYS 的这些 P 沟道增强型 MOSFET 在多种应用场景中表现出色。它们具有易于安装、节省空间、低导通电阻和高可靠性等特点。非常适合需要高效率和可靠性的应用场合。
    推荐使用
    鉴于上述特点,我们强烈推荐使用这些 MOSFET 产品。只要遵循正确的安装和使用建议,它们将为您的应用带来显著的优势。

IXTP76P10T参数

参数
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 -
栅极电荷 197nC@ 10 V
最大功率耗散 298W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 38A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.7nF@25V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 15V
10.66mm(Max)
4.83mm(Max)
9.15mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXTP76P10T厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXTP76P10T数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXTP76P10T IXTP76P10T数据手册

IXTP76P10T封装设计

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10+ ¥ 29.552
100+ ¥ 29.0146
500+ ¥ 29.0146
1000+ ¥ 29.0146
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