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IXFH170N10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 715W 20V 198nC@ 10V 100V 9mΩ@ 10V 170A 6nF@ 25V TO-247
供应商型号: IXFH170N10P-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFH170N10P

IXFH170N10P概述

    # PolarTM HiperFETTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFH170N10P 和 IXFK170N10P 是一种高功率密度的PolarTM HiperFETTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,具有快速内在整流器、雪崩耐受能力等特点。 这些产品适用于开关模式电源、谐振模式电源、DC-DC转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动器、机器人和伺服控制系统等应用。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气参数:
    额定参数
    - 最大电压(VDSS):100V
    - 连续漏极电流(ID25):170A
    - 雪崩能量耐受(EAS):2J
    - 瞬态栅极电压(VGSM):±30V
    - 连续漏极电流极限(IL(RMS)):160A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):350A
    - 最大结温(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 最大热阻(RthJC):0.21°C/W (TO-247),0.15°C/W (TO-264)
    特征值
    - 导通电阻(RDS(on)):≤9mΩ(VGS=10V时),≤7mΩ(VGS=15V时)
    - 栅极电容(Ciss):6000pF
    - 反向传输电容(Crss):730pF
    - 输出电容(Coss):2340pF
    - 栅极电荷(Qg):198nC
    - 上升时间(tr):50ns
    - 下降时间(tf):33ns
    - 正向偏置安全工作区(FBSOA):1ms脉冲宽度限
    其他
    - 封装:TO-247 (IXFH) 和 TO-264 (IXFK)
    - 重量:TO-247 6g,TO-264 10g

    产品特点和优势


    - 高功率密度:使得该产品能够在紧凑的空间内实现高效率的功率转换。
    - 易于安装:标准封装便于直接焊接,简化了装配过程。
    - 低RDS(on):出色的导通电阻保证了低功耗。
    - 低封装电感:减少开关损耗,提高效率。
    - 雪崩耐受能力:确保了产品在恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源:如图1所示,随着温度升高,输出特性保持稳定,适用于宽范围温度条件。
    - DC-DC转换器:图2展示了更宽的输出特性曲线,适合用于高电流输出的应用。
    - 激光驱动器:能够承受瞬态电压,适合快速响应的应用场景。
    - 电机驱动器:在高频开关下表现出色,满足电机驱动的苛刻要求。
    使用建议
    - 在设计中考虑散热问题,选择合适的散热片以维持较低的结温。
    - 尽量减小电路板上的寄生电感,以提高整体系统的效率。
    - 为提高可靠性,在系统设计中预留一定的裕度,避免接近额定极限。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与市面上常见的标准电路板和模块兼容。
    - 支持:提供详细的使用指南和技术文档,制造商提供了全面的技术支持和售后服务,确保用户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 如何降低开关损耗?
    - 解决方案:使用更低的栅极电阻,优化驱动电路以减少栅极电荷。

    2. 在高温环境下工作,输出电流降低怎么办?
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热片或增强冷却系统。
    3. 电路中出现意外的高频震荡怎么办?
    - 解决方案:检查布线布局,减小回路面积,加入适当的EMI滤波器。

    总结和推荐


    IXFH170N10P 和 IXFK170N10P 是一款高性能的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,具有卓越的导通电阻、高功率密度和良好的可靠性。它特别适用于开关模式电源、激光驱动器、电机驱动器等领域。结合其广泛的应用支持和强大的技术文档支持,该产品是市场上极具竞争力的选择。我们强烈推荐在需要高效、可靠的电源管理解决方案时选用此产品。

IXFH170N10P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@ 25V
配置 -
最大功率耗散 715W
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 198nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 170A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-247
包装方式 管装

IXFH170N10P厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFH170N10P数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFH170N10P IXFH170N10P数据手册

IXFH170N10P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30+ $ 8.0728 ¥ 67.5594
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