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IXFA22N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 390W 30V 5.5V 38nC 2个N沟道 650V 160mΩ 22A 2.31nF D2PAK 支架安装,贴片安装
供应商型号: IXFA22N65X2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFA22N65X2

IXFA22N65X2概述

    # IXFA22N65X2/IXFP22N65X2/IXFH22N65X2 技术手册

    产品简介


    产品类型
    IXFA22N65X2、IXFP22N65X2 和 IXTFH22N65X2 是由IXYS公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列产品。它们采用国际标准封装,适用于多种电源管理和控制应用。
    主要功能
    这些MOSFET主要用于开关模式和谐振模式电源供应、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统。它们具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关时间,以满足高效能需求。
    应用领域
    - 开关模式和谐振模式电源供应
    - 直流-直流转换器
    - 功率因数校正电路
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制系统

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 (VDSS): 650V
    - 栅极-源极电压 (VGSS): 连续 +/-30V,瞬态 +/-40V
    - 漏极电流 (ID25): 22A
    - 漏极脉冲电流 (IDM): 44A
    - 瞬时漏极电流 (IA): 5A
    - 能量 (EAS): 1J
    - dv/dt: 50V/ns
    - 功耗 (PD): 390W
    - 工作温度 (TJ): -55°C 到 +150°C
    - 结温 (TJM): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大引线焊接温度 (TL): 300°C
    - 焊锡温度 (TSOLD): 260°C
    - 安装力 (FC): 10...65 N/lb
    - 安装扭矩 (Md): 1.13...10 Nm/lb.in
    - 重量: TO-263: 2.5g, TO-220: 3.0g, TO-247: 6.0g
    性能参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 145mΩ
    - 击穿电压 (BVDSS): 650V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 3.5~5.0V
    - 源极-漏极饱和电流 (IDS): 22A
    - 源极-漏极击穿电压 (VSD): 1.4V
    - 输入电容 (Ciss): 2190pF
    - 输出电容 (Coss): 1450pF
    - 反向传输电容 (Crss): 1.3pF
    - 关断延迟时间 (td(off)): 42ns
    - 开启时间 (td(on)): 30ns
    - 上升时间 (tr): 37ns
    - 下降时间 (tf): 18ns
    - 门极电荷 (Qg): 37nC
    - 开启门极电荷 (Qgs): 12nC
    - 门极-集电极电荷 (Qgd): 14nC
    - 热阻 (RthJC): 0.32°C/W

    产品特点和优势


    特点
    - 符合国际标准封装
    - 低导通电阻和栅极电荷
    - 冲击耐受能力
    - 低封装电感
    优势
    - 高功率密度
    - 安装简便
    - 节省空间

    应用案例和使用建议


    实际应用
    这些MOSFET广泛应用于开关模式电源和直流-直流转换器。例如,在电机驱动系统中,它们可以有效降低功耗并提高效率。
    使用建议
    - 在设计应用时,请注意散热管理,特别是在高功率应用中。
    - 选择合适的安装方式,确保符合规定的安装力和扭矩。
    - 在应用过程中注意过压保护,以避免器件损坏。

    兼容性和支持


    这些MOSFET采用国际标准封装,易于与其他电子元器件集成。厂商提供详细的技术支持文档和保修服务,帮助用户在应用中充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    问题1:温度过高导致过热
    解决方案:增加散热片或者采用散热效果更好的封装形式,确保工作温度在允许范围内。
    问题2:器件失效
    解决方案:检查安装过程是否符合要求,尤其是安装力和扭矩。同时检查输入电压是否稳定,防止过电压损坏器件。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFA22N65X2、IXFP22N65X2 和 IXTFH22N65X2 功率MOSFET以其高功率密度、低导通电阻和良好的可靠性在众多应用中表现出色。这些器件特别适合于开关模式电源、直流-直流转换器和电机驱动等需要高效能的应用。
    推荐使用
    强烈推荐在上述应用场景中使用这些MOSFET。通过合理的设计和选型,可以显著提升系统的整体性能和效率。

IXFA22N65X2参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.31nF
Id-连续漏极电流 22A
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V
最大功率耗散 390W
配置 独立式
栅极电荷 38nC
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
10.41mm(Max)
9.4mm(Max)
4.83mm(Max)+0.1
通用封装 D2PAK
安装方式 支架安装,贴片安装
包装方式 管装

IXFA22N65X2厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFA22N65X2数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFA22N65X2 IXFA22N65X2数据手册

IXFA22N65X2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.9384 ¥ 49.2145
50+ $ 3.2354 ¥ 26.8137
500+ $ 2.7961 ¥ 23.173
1000+ $ 2.7485 ¥ 22.7779
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