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IXTF1N450

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 160W 20V 6V 40nC@ 10V 4.5KV 80Ω@ 10V 1.73nF@ 25V 通孔安装
供应商型号: 3953557
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXTF1N450

IXTF1N450概述

    # 高压功率MOSFET (IXTF1N450) 技术手册

    产品简介


    IXTF1N450 是一款高压功率 MOSFET(Electrically Isolated Tab),属于N通道增强型模式。此器件采用直接铜键合(Direct-Copper Bond, DCB)基板上的硅芯片技术,并具备电气隔离安装表面。IXTF1N450 主要用于高电压电源供应、电容放电应用、脉冲电路及激光和X射线生成系统等领域。其独特的设计使其适用于各种高要求的应用场合,如工业控制、医疗设备和能源管理系统等。

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最大值 |

    | 通态电压 | VDSS | TJ = 25°C 至 150°C | 4500 V |
    | 漏极-栅极电压 | VDGR | TJ = 25°C 至 150°C, RGS = 1MΩ | 4500 V |
    | 栅极-源极电压 | VGSS | 连续 | ±20 V |
    | 栅极-源极瞬时电压 | VGSM | 瞬时 | ±30 V |
    | 漏极电流(TC = 25°C) | ID25 0.9 A |
    | 最大功率耗散 | PD | TC = 25°C | 160 W |
    | 工作温度范围 | TJ -55...+150°C |
    | 引脚焊接温度 | TL 300°C |
    | 焊接塑料体温度 | TSOLD | 塑料体10秒 | 260°C |
    | 安装力 | FC 20..120 / 4.5..27 N/lb. |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 栅极开启电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250μA | 3.5 V | 6.0 V
    | 栅极漏电流 | IGSS | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 nA
    | 漏极饱和电流 | IDS | VDS = 3.6kV, VGS = 0V | 5 μA
    | 开启延时时间 | td(on) 30 ns
    | 关断延时时间 | td(off) 73 ns
    | 通态电阻 | RDS(on) | VGS = 10V, ID = 50mA 80 Ω
    封装信息
    - 引脚定义
    - Pin 1 = Gate
    - Pin 2 = Source
    - Pin 3 = Drain
    - Pin 4 = Isolated

    产品特点和优势


    IXTF1N450具有以下显著特点和优势:
    - 高电压包:能够承受高达4500V的电压,适合各种高电压应用场景。
    - 易安装:采用了电气隔离的安装表面,使得安装过程更为简便。
    - 空间节约:体积小巧,适用于空间受限的应用场合。
    - 高功率密度:能够在紧凑的空间内提供较高的功率输出,适用于需要高效能的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IXTF1N450 可以广泛应用于以下几个领域:
    - 高电压电源供应:适合用于需要高电压、高稳定性的电源设备。
    - 电容放电应用:在电力电子系统中进行快速充放电操作。
    - 脉冲电路:适用于需要快速开关响应的脉冲电路。
    - 激光和X射线生成系统:在这些高端医疗和科研设备中,提供高效的电能转换。
    使用建议
    - 散热管理:由于IXTF1N450的最大功率耗散为160W,建议使用适当的散热器来确保器件的工作温度不超过限制值。
    - 驱动电路设计:为了确保正确的栅极驱动,可以采用外部10Ω电阻来控制驱动电流。

    兼容性和支持


    IXTF1N450采用标准的引脚布局,易于与其他设备或电路连接。IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户在使用过程中解决可能遇到的各种问题。此外,厂商还提供了在线技术支持和售后服务,以确保用户获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何确定最大功率耗散?
    解决方案:查看手册中的最大功率耗散参数,确保器件工作时的温度不超过规定范围,并适当增加散热措施。
    问题二:如何正确驱动IXTF1N450?
    解决方案:使用合适的外部栅极电阻(如10Ω)来控制驱动电流,确保栅极信号的稳定性。
    问题三:如何处理器件过热问题?
    解决方案:在安装时考虑使用散热片或散热器,同时保证散热路径畅通无阻。

    总结和推荐


    IXTF1N450 是一款高电压、高性能的功率MOSFET,特别适用于高电压电源、电容放电应用和脉冲电路等领域。其电气特性和封装设计使其成为市场上同类产品中的佼佼者。如果你需要一个能在极端环境下可靠工作的器件,IXTF1N450无疑是理想的选择。
    我们强烈推荐IXTF1N450用于需要高性能、高可靠性的应用场合。对于需要高电压、大电流转换能力的应用,IXTF1N450表现出色,非常适合工业控制、医疗设备和其他关键领域的使用。

IXTF1N450参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.73nF@ 25V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 4.5KV
栅极电荷 40nC@ 10V
最大功率耗散 160W
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V
通道数量 -
20.29mm(Max)
5.21mm(Max)
21.34mm(Max)
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXTF1N450厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXTF1N450数据手册

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IXTF1N450封装设计

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