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IXFP56N30X3M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 36W 56nC@ 10V 300V 27mΩ@ 28A,10V 56A TO-220
供应商型号: 10B-3949057-1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M概述

    IXFP56N30X3M N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFP56N30X3M 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于开关电源、谐振电源、DC-DC转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制等领域。这款产品具备高功率密度、易于安装和节省空间等优点。

    2. 技术参数


    以下是IXFP56N30X3M的主要技术规格:
    - 电压参数:
    - 最大栅源电压 (VDSS):300V
    - 最大栅极驱动电压 (VGSS):±20V(连续),±30V(瞬时)
    - 电流参数:
    - 漏极电流 (ID):25℃时最大56A,脉冲宽度受限于结温的最大112A
    - 额定漏极电流 (IDM):25℃时最大56A
    - 最大雪崩电流 (EAS):700mJ
    - 最大输出电流 (IA):25℃时最大28A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):25℃时典型值为27mΩ(在ID=28A条件下)
    - 输入电阻 (RGi):2.3Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 (Ciss):3750pF
    - 输出电容 (Coss):560pF
    - 反馈电容 (Crss):3pF
    - 储存电容 (Co(er)):210pF
    - 转换电容 (Co(tr)):860pF
    - 温度参数:
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C至+150°C
    - 结点最高温度 (TJM):150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C至+150°C
    - 封装和机械参数:
    - 标准封装:国际标准包装,塑料封装
    - 封装重量:2.5g
    - 引脚焊接最大温度 (TL):300°C
    - 焊料焊接位置最高温度 (TSOLD):260°C(距离管壳1.6mm处)
    - 绝缘耐压 (VISOL):50/60Hz,1分钟内2500V

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:适合紧凑设计的应用场合。
    - 易于安装:简化了电路板布局。
    - 节省空间:适合空间有限的设计。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):降低功耗,提高效率。
    - 耐雪崩能力:提高可靠性和耐用性。
    - 低电感封装:减少寄生效应,提升性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源和谐振电源:IXFP56N30X3M适用于需要高效能和快速响应时间的应用。
    - DC-DC转换器:其低导通电阻特性可显著降低转换损耗。
    - 电机驱动:高电流能力和耐雪崩能力使其成为电机控制的理想选择。

    使用建议:
    - 在高频开关应用中,应特别注意散热管理,以确保器件长期稳定运行。
    - 使用适当的门极驱动电路来减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    IXFP56N30X3M采用标准封装(TO-220),与多数标准电路板制造工艺兼容。厂商提供了详细的技术支持文档和应用指南,帮助用户进行快速设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确安装?
    - 解决方案:参照制造商提供的安装指南,确保引脚正确连接并适当固定,避免过热。
    - 问题:散热管理不足怎么办?
    - 解决方案:使用散热片或散热器来辅助散热,保持良好的热流通。
    - 问题:开关频率过高导致异常?
    - 解决方案:检查并调整门极驱动电路,确保合适的门极电阻,减小开关损耗。

    7. 总结和推荐


    IXFP56N30X3M 在其应用领域表现优异,具备高功率密度、低导通电阻和良好的耐雪崩能力。这使得它在开关电源、DC-DC转换器和其他高可靠性要求的应用中极具竞争力。强烈推荐在相关项目中使用IXFP56N30X3M,前提是确保正确理解和遵循其使用条件及操作指南。

IXFP56N30X3M参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 56A
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 28A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 56nC@ 10V
最大功率耗散 36W
Vds-漏源极击穿电压 300V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
包装方式 管装

IXFP56N30X3M厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFP56N30X3M数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M数据手册

IXFP56N30X3M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 72.8895
10+ ¥ 64.0394
19+ ¥ 61.4778
50+ ¥ 41.0966
100+ ¥ 40.9056
250+ ¥ 40.7147
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