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GC3D10065A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):25nC 总功率(Ptot):136W
供应商型号: 14M-GC3D10065A TO-220-2
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC3D10065A

GC3D10065A概述

    # 碳化硅肖特基二极管 GC3D10065A 技术手册

    产品简介


    碳化硅肖特基二极管 GC3D10065A 是一种高性能的650伏特肖特基整流器,专为提高开关电源效率和可靠性而设计。它采用了先进的碳化硅(SiC)材料,具备零反向恢复电流和零正向恢复电压,适合高频操作和高温度环境。这种二极管适用于开关模式电源、功率因数校正和电机驱动等领域,可以显著提升系统的整体性能和效率。

    技术参数


    基本规格
    - 最大重复峰值反向电压 (VRRM):650 V
    - 最大浪涌峰值反向电压 (VRSM):650 V
    - 最大直流阻断电压 (VDC):650 V
    - 连续正向电流 (IF):在25℃时为30 A,在135℃时为14.5 A
    - 脉冲正向浪涌电流 (IFRM):在25℃时为46 A,在110℃时为31 A
    - 非重复峰值正向浪涌电流 (IFSM):在25℃时为90 A,在110℃时为71 A
    - 最大非重复峰值正向浪涌电流 (IF,Max):在25℃时为860 A,在110℃时为680 A
    - 最大耗散功率 (Ptot):在25℃时为136.5 W,在110℃时为59 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C
    - 热阻 (RθJC):1.1°C/W
    电气特性
    - 正向电压 (VF):在25°C时为1.5 V,在175°C时为2.0 V
    - 反向电流 (IR):在25°C时为12 μA,在175°C时为24 μA
    - 总电容 (C):在25°C时为460.5 pF
    - 存储电荷 (QC):在25°C时为24 nC
    - 存储能量 (EC):在25°C时为3.6 μJ

    产品特点和优势


    GC3D10065A 具有以下特点和优势:
    - 无反向恢复电荷:由于是多数载流子二极管,因此没有反向恢复电荷。
    - 零正向和反向恢复电压:极大地减少了开关损耗。
    - 高频率操作能力:适用于高频电路。
    - 温度无关的开关行为:确保在不同温度下的一致性能。
    - 正向电压温度系数:有助于改善高温下的性能。
    - 减少热沉需求:提高了系统的整体效率。
    这些特点使其在许多应用中成为首选,如开关模式电源、功率因数校正和电机驱动,相比传统的双极型整流器,GC3D10065A 提供更高的效率和更低的能耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源:GC3D10065A 可用于提高电源转换效率,尤其是在高频应用中。
    - 功率因数校正:其低损耗特性有助于提升系统的功率因数。
    - 电机驱动:可以减少电机驱动系统中的热量产生,提高稳定性。
    使用建议
    - 在使用过程中,注意不要超过规定的温度和电流限制,以避免损坏。
    - 针对高频应用,可以考虑添加额外的散热措施,以提高稳定性和可靠性。
    - 在设计电路时,建议通过模拟软件进行详细的热仿真,确保系统在最高工作温度下仍能正常运行。

    兼容性和支持


    GC3D10065A 采用标准的 TO-220-2 封装,易于与其他标准元器件集成。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定合适的冷却方案?
    2. 在高温环境下如何保证性能稳定?
    3. 与其他元器件的兼容性问题?
    解决方案
    1. 冷却方案选择:根据产品的最大功耗和环境温度选择合适的散热片或风扇。
    2. 高温性能:使用高导热率的材料并加强散热设计,确保二极管在高温下的正常工作。
    3. 兼容性:在使用前请参考手册中的电气特性和封装尺寸,确保与现有系统兼容。

    总结和推荐


    综上所述,碳化硅肖特基二极管 GC3D10065A 在高温操作、高频率应用和低损耗方面表现出色,是电源管理和电机控制领域的理想选择。其卓越的性能和高可靠性使其在众多应用场景中具有很强的市场竞争力。我们强烈推荐这一产品给需要高效、稳定电力解决方案的设计工程师和制造商。

GC3D10065A参数

参数
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
通用封装 TO-220

GC3D10065A厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3D10065A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC3D10065A GC3D10065A数据手册

GC3D10065A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.4946
10+ ¥ 3.2794
30+ ¥ 3.0797
100+ ¥ 2.9355
300+ ¥ 2.8796
500+ ¥ 2.7957
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