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GC4D40120H

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):99nC\n 总功率(Ptot):532W
供应商型号: GC4D40120H TO247-2
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC4D40120H

GC4D40120H概述

    GC4D40120H 碳化硅肖特基二极管

    产品简介


    GC4D40120H 是一款由无锡国晶微半导体技术有限公司生产的碳化硅(SiC)肖特基二极管。 该产品属于高效率和高性能的二极管类型,适用于多种电力转换和电池管理场合。GC4D40120H 主要功能在于提供低正向电压降(VF)、零反向恢复电流/正向恢复电压,以及温度独立的开关行为。这些特性使其成为电源管理和可再生能源系统中的理想选择。

    技术参数


    - 最大重复峰值反向电压 (VRRM):1200 V
    - 直流阻断电压 (VDC):1200 V
    - 连续正向电流 (IF):128 A @ 25°C,88 A @ 100°C,41 A @ 155°C
    - 重复峰值正向浪涌电流 (IFRM):161 A @ 25°C,91 A @ 110°C
    - 非重复正向浪涌电流 (IFS):247 A @ 25°C,245 A @ 110°C
    - 总功耗 (Ptot):667 W @ 25°C,289 W @ 110°C
    - 正向电压 (VF):1.5 V @ 40 A, 25°C;2.2 V @ 40 A, 175°C
    - 反向电流 (IR):45 µA @ 1200 V, 25°C;75 µA @ 1200 V, 175°C
    - 总电容电荷 (QC):167 nC @ 800 V, 25°C
    - 总电容 (C):2,809 pF @ 0 V, 25°C, 1 MHz
    - 电容存储能量 (EC):36 µJ @ 800 V
    - 热阻,结到外壳 (Rθ, JC):0.225°C/W
    - 工作结温及存储温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 静电放电分类 (ESD):人体模型 (HBM) 3B (≥8000 V),充电器件模型 (CDM) C3 (≥1000 V)

    产品特点和优势


    GC4D40120H 碳化硅肖特基二极管 具有显著的优点:
    - 低正向电压降 (VF):有助于提高整体系统的效率。
    - 零反向恢复电流/正向恢复电压:减少了开关损耗,提高了电路的可靠性和响应速度。
    - 温度独立的开关行为:确保了器件在不同环境下的稳定性能。
    - 高耐压和大电流处理能力:适合各种高功率应用场景。

    应用案例和使用建议


    GC4D40120H 可用于多种场景,例如:
    - 电池充电器:实现高效的能量转换。
    - 太阳能及可再生能源系统:提供可靠的电源管理。
    - 工业电源供应:满足高功率需求。
    - 功率因数校正 (PFC) 和直流-直流 (DC-DC) 转换器:提高效率和稳定性。
    使用建议:
    - 散热设计:由于该二极管具有较高的电流处理能力和热阻,建议采用良好的散热设计以保证长期运行的可靠性。
    - 保护措施:为避免静电损坏,应在处理过程中采取必要的防静电措施。

    兼容性和支持


    GC4D40120H 的物理封装形式为 TO-247-2,便于与其他标准组件进行集成。厂商提供了详细的安装指南和参数表,以确保客户能够正确安装和使用该产品。此外,厂家还提供了详尽的技术支持服务,包括热线电话和在线论坛,以帮助客户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下失效 | 确保正确的散热设计,并使用适当的热阻材料。 |
    | 静电损伤 | 在处理时佩戴防静电手环,操作台面铺设防静电垫。 |
    | 性能不佳 | 检查连接线路是否良好,并重新检查安装过程中的焊接质量。 |

    总结和推荐


    GC4D40120H 碳化硅肖特基二极管 是一款卓越的产品,具有优秀的电气特性和广泛的应用前景。其在高功率和高温环境下的优异表现使其在工业、可再生能源等领域有着重要的应用价值。对于需要高效能、高可靠性的电子项目,强烈推荐使用这款二极管。

GC4D40120H参数

参数
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
通用封装 TO-247-2

GC4D40120H厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC4D40120H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC4D40120H GC4D40120H数据手册

GC4D40120H封装设计

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