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GC4D60120D

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):155nC 总功率(Ptot):440W
供应商型号: GC4D60120D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC4D60120D

GC4D60120D概述

    GC4D60120D Silicon Carbide Schottky Diode

    1. 产品简介


    GC4D60120D 是一款由无锡国晶微半导体技术有限公司生产的高性能硅碳化物肖特基二极管。作为1.2kV的肖特基整流器,它具有零反向恢复电流的特点,适用于高频操作环境,能够实现温度无关的开关操作和极快的开关速度。这种二极管主要用于开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路的升压二极管、逆变器电路中的自由轮二极管及AC/DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 重复峰值反向电压 (每腿): 1200 V
    - 连续正向电流 (每腿/每设备):
    - TJ = 100°C, D = 1 时为 55 A (每腿)
    - TJ = 135°C, D = 1 时为 38 A (每腿)
    - TJ = 148°C, D = 1 时为 30 A (每腿)
    - 半正弦波非重复峰值正向浪涌电流 (每腿):
    - TJ = 25°C, t = 10 ms 时为 240 A
    - TJ = 150°C, t = 10 ms 时为 192 A
    - 半正弦波重复峰值正向浪涌电流 (每腿):
    - TJ = 25°C, t = 10 ms 时为 144 A
    - TJ = 150°C, t = 10 ms 时为 100 A
    - 非重复峰值正向浪涌电流 (每腿): TJ = 25°C, t = 10 µs 时为 1200 A
    - 非重复雪崩能量 (每腿): EL = 0.6 mH, I = 30 A 时为 271 mJ
    - 二极管坚固性 (每腿): dV/dt = 200 V/ns (V = 0 ~ 960 V)
    - 功耗 (每腿/每设备): TJ = 25°C 时为 313 W (每腿)
    - 电气特性
    - 正向电压 (VF): IF = 30 A, TJ = 25°C 时为 1.5 V
    - 反向电流 (IR): VR = 1200 V, TJ = 25°C 时为 2 μA
    - 总电容性电荷 (QC): VR = 800 V, IF = 30 A, di/dt = 200 A/μs, TJ = 25°C 时为 97 nC
    - 总电容 (C): VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz 时为 64 pF
    - 热特性
    - 热阻 (RθJC): 0.48 °C/W

    3. 产品特点和优势


    GC4D60120D 具有以下显著特点和优势:
    - 零反向恢复电流:可替代双极型二极管,减少开关损耗,提高效率。
    - 高频操作:能在高频环境下稳定运行,实现高效能。
    - 温度独立开关:开关特性不随温度变化,确保一致的性能表现。
    - 极高开关速度:适用于需要快速响应的应用场景。
    这些特点使得GC4D60120D在许多电力电子系统中成为理想选择,尤其在开关电源、功率因数校正电路和逆变器中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    GC4D60120D 的典型应用包括:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管
    - 逆变器阶段的自由轮二极管
    - AC/DC 转换器
    使用建议:
    - 在高功率密度应用中,确保良好的散热措施以维持正常的工作温度范围。
    - 使用时注意匹配合适的PCB布局,减少杂散电感,避免干扰。

    5. 兼容性和支持


    GC4D60120D 的封装为 TO-247-3,这使其与市场上大多数标准 PCB 布局兼容。无锡国晶微半导体提供全面的技术支持,包括设计咨询和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 工作温度超过最大额定值 | 检查散热措施,必要时增加外部散热片或改善散热条件。 |
    | 正向电流超出最大值 | 降低电流负载或使用多个并联器件来分散电流。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,GC4D60120D 硅碳化物肖特基二极管是一款高性能的产品,具备高效率、低损耗和高温稳定性等特点,在多种电力电子应用中表现出色。它不仅适用于高频环境下的复杂电力电子系统,还能有效提升系统的整体性能。因此,对于需要高效、高可靠性的电源管理系统来说,推荐使用 GC4D60120D。

GC4D60120D参数

参数
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
通用封装 TO-247-3

GC4D60120D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC4D60120D数据手册

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SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC4D60120D GC4D60120D数据手册

GC4D60120D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 38.22
450+ ¥ 35.28
900+ ¥ 34.692
1800+ ¥ 33.81
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