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GC3M0120090D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 25A
供应商型号: GC3M0120090D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC3M0120090D

GC3M0120090D概述


    产品简介


    GC3M0120090D是一款硅碳(SiC)功率MOSFET,属于N沟道增强型晶体管。这种电子元器件主要应用于高效率电源转换系统,包括可再生能源系统、电动汽车电池充电器、高压直流转换器、开关模式电源供应器及照明等领域。由于其优异的电气特性,该产品能够显著提高系统的整体性能和可靠性。

    技术参数


    以下是GC3M0120090D的技术规格:
    - 高阻断电压与低导通电阻:最高击穿电压(VDS)为900V,最大持续漏极电流(ID)为23A(在25℃时),导通电阻(RDS(on))为120mΩ(在15V栅源电压下)。
    - 高速切换与低电容特性:最大漏极-源极电压(VDSmax)为900V,最大栅源电压(VGSmax)为-8/+19V(动态情况下),静态情况下的最大栅源电压(VGSop)为-4/+15V。
    - 热性能:结温(TJ)范围为-55至+150℃,存储温度(Tstg)范围为-55至+150℃。
    - 其他电气特性:连续漏极电流(ID)在15V栅源电压下为23A,脉冲漏极电流(ID(pulse))为50A(脉冲宽度受限于最大结温),最大耗散功率(PD)为97W(在25℃结温和150℃最大结温下)。

    产品特点和优势


    1. 高系统效率:由于具有较低的导通电阻和较高的耐压特性,GC3M0120090D能够显著降低损耗,提高整个系统的效率。
    2. 减少冷却需求:较低的功耗意味着更少的热量产生,因此可以减少散热需求,节省冷却成本。
    3. 增加功率密度:高集成度和紧凑设计使其适用于需要高功率密度的应用场合。
    4. 增加系统切换频率:快速的开关速度使得系统可以在更高的频率下工作,进一步提升效率。

    应用案例和使用建议


    GC3M0120090D适用于多种应用场景,例如:
    - 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风力发电系统。
    - 电动汽车电池充电器:高效且快速充电的解决方案。
    - 高压直流转换器:在高功率系统中稳定输出直流电压。
    - 开关模式电源供应器:提供高效能、高可靠性的电源解决方案。
    - 照明:用于LED驱动电源中,以实现更高效的电力转换。

    兼容性和支持


    GC3M0120090D采用TO-247-3封装形式,便于安装和布线。厂商提供详细的安装指南和技术支持,确保用户能够顺利使用该产品。此外,该产品符合RoHS标准,并且无卤素,符合环保要求。

    常见问题与解决方案


    1. 如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 确保栅极驱动电阻值足够小,以确保开关速度和低损耗。参考产品手册中的图表,根据负载条件和温度变化选择最佳值。
    2. 长时间工作下的热管理措施有哪些?
    - 确保良好的热传导设计,合理安排散热片和散热路径。定期监测工作温度,避免超过最大允许值。

    总结和推荐


    GC3M0120090D凭借其出色的电气性能、高效的散热能力和广泛的适用范围,成为高性能电源转换系统的理想选择。无论是应用于可再生能源、电动汽车还是工业控制系统,该产品都能展现出卓越的性能。我们强烈推荐使用这款产品来满足您的高端电源需求。

GC3M0120090D参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-247-3

GC3M0120090D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3M0120090D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC3M0120090D GC3M0120090D数据手册

GC3M0120090D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 24.57
450+ ¥ 22.68
900+ ¥ 22.302
1800+ ¥ 21.735
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