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GC2M0025120D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A Pd-功耗: 378W
供应商型号: GC2M0025120D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC2M0025120D

GC2M0025120D概述


    产品简介


    本产品为硅碳化物(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于N沟道增强型。型号为GC2M0025120D,采用TO-247-3封装。这款产品适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动和脉冲电源应用等领域。硅碳化物材料使得该器件具有极高的可靠性和优越的热性能。

    技术参数


    - 基本参数:漏源电压(VDS)最大值为1200V,连续漏电流(ID)最大值为90A(25°C)。
    - 阻抗参数:导通电阻(RDS(on))最大值为25mΩ(20V时)。
    - 极限参数:最大栅源电压(VGSmax)为-10/+25V;最高操作温度范围为-55°C至150°C。
    - 电容参数:输入电容(Ciss)最大值为3140pF(1MHz时);输出电容(Coss)最大值为224pF。
    - 反向恢复特性:反向恢复时间(trr)最大值为33ns,峰值反向恢复电流(Irrm)最大值为24A。

    产品特点和优势


    该产品具备以下显著特点和优势:
    - 高阻断电压和低导通电阻:有助于提高系统的整体效率。
    - 高速开关和低电容特性:有助于减少冷却需求,提升功率密度。
    - 易并联和简单的驱动电路:便于集成到现有系统中。
    - 强大的雪崩耐受性:确保了设备在恶劣条件下的稳定性。
    - 防止锁存现象:进一步提高了系统的可靠性。
    - 无卤素、符合RoHS标准:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    该产品适合用于多种应用,如太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器等。例如,在太阳能逆变器中,该器件可以有效提高系统的能效和转换效率。使用时应注意以下几点:
    - 确保正确的散热设计以避免过热。
    - 选择合适的外部栅极电阻(RG(ext))以优化开关性能。

    兼容性和支持


    该产品可与多种其他电子元件兼容,尤其在开关电源和高压应用中表现优异。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档、样品请求和定制化解决方案咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何避免过热?
    答:通过良好的散热设计,如使用散热片或液体冷却系统。

    - 问:如何优化开关性能?
    答:通过选择适当的RG(ext),并在系统设计中仔细考虑RC电路。

    总结和推荐


    总体而言,该款硅碳化物功率MOSFET凭借其高效率、低损耗、快速开关等优势,是各类电力电子应用的理想选择。强烈推荐在对能效和可靠性有严格要求的应用中使用。

GC2M0025120D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-247-3

GC2M0025120D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC2M0025120D数据手册

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SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC2M0025120D GC2M0025120D数据手册

GC2M0025120D封装设计

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