处理中...

首页  >  产品百科  >  GC2M0045170D

GC2M0045170D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 72A
供应商型号: GC2M0045170D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC2M0045170D

GC2M0045170D概述


    产品简介


    GC2M0045170D 是一款高性能的氮化硅(SiC)功率 MOSFET,采用 N 沟道增强型设计。这款 MOSFET 具备高击穿电压、低导通电阻和高速开关能力,特别适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流转换器、电机驱动以及脉冲电源等应用场景。该产品以其优异的电气特性和可靠性,在高压应用环境中表现出色。

    技术参数


    - 主要规格
    - 封装:TO-247-3
    - 最高击穿电压(VDS):1700V
    - 连续漏极电流(ID):72A @ 25°C
    - 导通电阻(RDS(on)):45mΩ @ 20V,50A
    - 极限参数
    - 最大漏源电压(VDSmax):1700V,@ VGS=0V,ID=100μA
    - 最大栅源电压(VGSmax):-10/+25V
    - 推荐操作栅源电压(VGSop):-5/+20V
    - 最大脉冲漏极电流(ID(pulse)):160A
    - 最大功耗(PD):520W @ TC=25°C,TJ=150°C
    - 工作温度范围:-40°C 至 +150°C
    - 焊接温度(TL):260°C

    产品特点和优势


    - 高击穿电压与低导通电阻:能够承受高达 1700V 的电压,同时具备低至 45mΩ 的导通电阻,有助于提高系统的整体效率。
    - 高速开关:具有较低的电容值,使得开关速度更快,减少能耗。
    - 易于并联和驱动:简单的设计便于并联使用和驱动。
    - 抗闩锁特性:具备较强的抗闩锁能力,提高器件的安全性和可靠性。
    - 无卤素,符合RoHS标准:环保设计,符合国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 太阳能逆变器:用于提高光伏系统逆变器的转换效率,减小能耗。
    2. 开关电源:在高效能开关电源中,有效提升电源转换效率,减小散热需求。
    3. 高压直流转换器:广泛应用于工业设备和电力系统中,提高系统的功率密度和稳定性。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以确保器件正常运行。
    - 并联使用时,应注意平衡负载以避免电流集中导致过热。
    - 高速开关特性需配合适当的外部驱动电路,确保稳定工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与多种电源模块和其他电子元器件高度兼容,可以轻松集成到现有的系统中。
    - 支持:厂家提供详尽的技术文档和支持服务,包括技术咨询和售后支持,确保用户获得最佳的应用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定正确的栅极电阻?
    答:参考器件的数据手册,根据实际应用条件选择合适的栅极电阻,通常可从 1Ω 到 10Ω 不等。
    2. 问:器件过热怎么办?
    答:检查散热设计是否合理,如必要可通过增加散热片或风扇来加强散热。
    3. 问:如何实现可靠并联使用?
    答:选择相同型号的器件并均匀分配电流,确保并联连接的可靠性。

    总结和推荐


    GC2M0045170D 是一款具备高可靠性和高性能的氮化硅功率 MOSFET。它通过其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为高效能电源转换设备的理想选择。对于追求高效率和低能耗的设计来说,该产品无疑是一个优秀的解决方案。我们强烈推荐此款 MOSFET 在高压、大电流应用场景中的使用。

GC2M0045170D参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-247-3

GC2M0045170D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC2M0045170D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC2M0045170D GC2M0045170D数据手册

GC2M0045170D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 175.5
450+ ¥ 162
900+ ¥ 159.3
1800+ ¥ 155.25
库存: 10000
起订量: 10 增量: 450
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 1755
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0