处理中...

首页  >  产品百科  >  GC4D30120D

GC4D30120D

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):77.5nC\n 总功率(Ptot):440W
供应商型号: GC4D30120D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC4D30120D

GC4D30120D概述

    GC4D30120D Silicon Carbide Schottky Diode

    1. 产品简介


    产品类型:硅碳化物肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)
    主要功能:
    - 高频操作(High-Frequency Operation)
    - 极快的开关速度(Extremely Fast Switching)
    - 温度无关型切换(Temperature-Independent Switching)
    - 零反向恢复电流(Zero Reverse Recovery Current)
    应用领域:
    - 开关模式电源(Switch Mode Power Supplies, SMPS)
    - PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管
    - 逆变阶段的自由轮转二极管
    - AC/DC 转换器

    2. 技术参数


    最大额定值(TC=25°C):
    - 反复峰值反向电压(VRRM):1200 V
    - 峰值正向浪涌电流(IFSM):100 A
    - 正向持续电流(IF):44 A(每引脚/设备)
    - 正向非重复峰值电流(IF,Max):900 A
    - 功率耗散(Ptot):220 W(每引脚/设备)
    电气特性:
    - 正向电压(VF):1.6 V(IF = 15 A,TC=25°C)
    - 反向电流(IR):35 μA(VR = 1200 V,TC=25°C)
    - 总电荷量(QC):77.5 nC(VR = 800 V,IF = 15A,di/dt = 200 A/μs,TC=25°C)
    工作环境:
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +135°C

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:由于没有反向恢复电荷,因此基本上没有开关损耗。
    - 热管理优势:减少散热要求,可以并联设备而不会发生热失控。
    - 替代方案:用单极管替代双极管,提供更高的可靠性和稳定性。
    - 应用广泛:适用于多种电力转换应用,如 SMPS 和逆变器。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在开关电源(SMPS)中作为整流器,尤其是在高频应用中表现卓越。
    - 在 PFC 或 DC/DC 阶段用作升压二极管,提高系统整体效率。
    - 逆变阶段作为自由轮转二极管,降低系统功耗和热量产生。
    使用建议:
    - 确保适当的散热设计以防止过热。
    - 在电路布局时考虑电容和电感的影响,以优化整体性能。
    - 定期进行电气测试和检查,确保长期可靠性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可与大多数现代电源转换设备兼容,如 SMPS、PFC 和逆变器。
    支持和服务:
    - 供应商提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    - 问题:过高的结温导致设备失效。
    - 解决方法:采用有效的散热措施,例如使用散热片和强制风冷。

    - 问题:高频开关时的噪音和振动。
    - 解决方法:增加电容和电感滤波,减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - GC4D30120D 硅碳化物肖特基二极管具备卓越的高频操作能力、极快的开关速度和高效率的特点,使其在多种电力转换应用中表现出色。
    - 该产品的零反向恢复电流特性大大降低了开关损耗,提高了系统的整体能效。
    推荐使用:
    - 强烈推荐在需要高频率、高效率和温度独立性的电力转换应用中使用此产品。对于需要高性能和可靠性的场合,它是一个理想的选择。
    通过详细的介绍和技术参数展示,GC4D30120D 硅碳化物肖特基二极管不仅提供了卓越的性能,还具有广泛的适用性和出色的耐用性,是现代电力转换应用的理想选择。

GC4D30120D参数

参数
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
通用封装 TO-247-3

GC4D30120D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC4D30120D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC4D30120D GC4D30120D数据手册

GC4D30120D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 25.74
450+ ¥ 23.76
900+ ¥ 23.364
1800+ ¥ 22.77
库存: 10000
起订量: 10 增量: 450
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 257.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
10BQ015TRPBF ¥ 0
10MQ040N ¥ 0.653
1N4007RLG ¥ 0.096
1N5711 ¥ 0.3039
1N5711W-7-F ¥ 0.8885
1N5711WS-7 ¥ 6.8107
1N5711WS-7-F ¥ 0.2662
1N5817W ¥ 0.046
1N5818 ¥ 0.1949
1N5819 ¥ 0.1949