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GE4435A

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: GE4435A
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  GE4435A

GE4435A概述

    # P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(以下简称GE4435A)是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有卓越的导通电阻(RDS(ON))和较低的门极电荷(Qg),适用于各种电力转换和控制应用,如直流到直流转换器、电池充电器和电源管理系统。

    技术参数


    以下是GE4435A的主要技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | - | -30 | - | - | V |
    | 持续漏电流 | ID | - | - | -9 | - | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | - | -36 | A |
    | 门极源极电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | - | V |
    | 功率耗散 | PD | - | - | - | 2.7 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | - | 231 | mJ |
    | 热阻 | RthJA | 47 | °C/W |
    静态参数
    - 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = -250µA | -30 | - | - | V
    - 零门极电压漏电流 | IDSS | VDS = -30V, VGS = 0V | - | - | -1 | µA
    - 门极源极漏电 | IGSS | VGS = ±20V | - | - | ±100 | nA
    - 门极源极阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = -250µA | -1 | -3 | - | V
    - 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = -10V, ID = -3A | - | 16 | - | mΩ
    VGS = -4.5V, ID = -2A | - | 23 | - | mΩ
    动态参数
    - 输入电容 | Ciss | VGS = 0V, VDS = -15V, f = 1.0MHz | - | 1253 | - |
    - 输出电容 | Coss | - | - | 181 | - | pF
    - 反向传输电容 | Crss | - | - | 158 | - |
    - 总门极电荷 | Qg | VDD = -15V, ID = -3A, VGS = -10V | - | 24.5 | - |
    - 门极源极电荷 | Qgs | - | - | 3 | - | nC
    - 门极漏极电荷 | Qgd | - | - | 6 | - |
    开关时间参数
    - 开启延时时间 | td(on) | VDD = -15V, ID = -3A, RG = 1Ω | - | 8 | - | ns
    - 开启上升时间 | tr | - | - | 9 | - |
    - 关闭延时时间 | td(off) | - | - | 26 | - |
    - 关闭下降时间 | tf | - | - | 8 | - |

    产品特点和优势


    GE4435A采用先进的沟槽技术,提供卓越的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(Qg)。这些特点使其成为高效率电源管理和电力转换的理想选择。此外,产品为无铅且符合绿色标准,适用于环保要求严格的应用场景。

    应用案例和使用建议


    GE4435A广泛应用于各类直流到直流转换器和电池充电器。例如,在一个典型的电池充电器应用中,GE4435A可以作为高效开关来实现快速和稳定的充电过程。建议用户根据具体应用需求调整门极电阻(RG)以优化性能。在设计过程中,需要特别注意散热管理,确保设备能够在额定温度范围内正常工作。

    兼容性和支持


    GE4435A支持标准SOP-8封装,与现有系统具有良好的兼容性。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,包括详细的使用指南和技术文档,帮助用户解决各种技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热
    - 解决方案:检查散热设计,确保良好的空气流通和适当的散热片安装。

    2. 问题:电流过大
    - 解决方案:减少负载电流或提高门极电阻(RG)以降低导通时间。

    3. 问题:开关损耗过高
    - 解决方案:考虑使用较低的门极电荷(Qg)值或优化电路设计以减少开关频率。

    总结和推荐


    总体而言,GE4435A凭借其出色的导通电阻和低门极电荷特性,在电力转换和控制领域表现出色。特别是在对效率和可靠性要求较高的应用中,该产品具备显著的优势。因此,强烈推荐使用GE4435A进行电力转换和管理应用的设计和开发。

GE4435A厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

GE4435A数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 GE4435A GE4435A数据手册

GE4435A封装设计

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