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UT4435L-S08-R

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: UT4435L-S08-R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  UT4435L-S08-R

UT4435L-S08-R概述

    P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET UT4435L-S08-R 技术手册解读

    1. 产品简介


    UT4435L-S08-R 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、马达控制、LED 驱动等领域。其主要功能包括提供高效的电流控制能力和较低的导通电阻,使其成为高效率电源转换的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | -30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -9 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -36 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 2.7 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 231 | mJ |
    | 结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to 150 | °C |
    | 热阻抗,结到环境 | RthJA | 47 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    UT4435L-S08-R 采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的 RDS(ON) 和低栅极电荷,具有铅无和绿色环保的特点。其绝对最大额定值和热阻抗参数保证了产品的可靠性和耐用性。此外,该产品经过 100% 的 UIS 测试和 ΔVds 测试,确保了每一只 MOSFET 的品质。

    4. 应用案例和使用建议


    UT4435L-S08-R 可用于各种高压电源转换应用,如直流-直流转换器、电池充电器等。为了优化其性能,建议在设计时充分考虑散热措施,并根据应用需求调整驱动电路的栅极电阻。例如,在高功率应用中,增加栅极电阻可以减少开关损耗,从而提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    UT4435L-S08-R 可以与其他标准 P 沟道 MOSFET 设备轻松配合使用。制造商提供了详尽的技术支持,包括应用指南和设计参考,帮助用户快速实现产品集成和优化。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热
    - 解决方案:确保良好的散热设计,增加外部散热片或采用强制风冷措施。
    2. 问题:驱动电路不稳定
    - 解决方案:调整栅极电阻和驱动信号,确保稳定的驱动条件。
    3. 问题:开关损耗大
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感和杂散电容的影响,选用合适的栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    UT4435L-S08-R 在技术参数和性能方面表现出色,其先进的沟槽技术和低导通电阻使其在众多应用场景中脱颖而出。考虑到其稳定性和可靠性,我们强烈推荐使用此产品,特别是对于需要高效、可靠的电源管理解决方案的应用。

UT4435L-S08-R厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

UT4435L-S08-R数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 UT4435L-S08-R UT4435L-S08-R数据手册

UT4435L-S08-R封装设计

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