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RU30D8HCGTR

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: RU30D8HCGTR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  RU30D8HCGTR

RU30D8HCGTR概述

    RU30D8HCGTR Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    RU30D8HCGTR是一款双N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种高电流和高频开关应用。它集成了先进的沟槽技术,提供低导通电阻和极低栅极电荷,能够实现高效能的电源转换。这种器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS): 30V
    - Zero Gate Voltage Drain Current (ID): TA = 25°C 2.3A
    - Continuous Drain Current (ID): TA = 25°C 9A; TA = 100°C 5.7A
    - Pulse Drain Current (DM): TA = 25°C 36A
    - Avalanche Energy (EAS): 单脉冲 9mJ
    - Maximum Power Dissipation (PD): TA = 25°C 2W
    - Gate-Source Voltage (VGS): ±20V
    - 热特性
    - Thermal Resistance-Junction to Lead (RθJL): 40°C/W
    - Thermal Resistance-Junction to Ambient (RθJA): 62.5°C/W
    - 静态电气特性
    - Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS): VGS=0V, ID=250μA 30V
    - Zero Gate Voltage Drain Current (DSSID): VDS=30V, VGS=0V 最大 1μA
    - Gate-Body Leakage Current (GSSID): VGS=±20V, VDS=0V ±100nA
    - Gate Threshold Voltage (VGS(TH)): VDS=VGS, ID=250μA 1V~2.5V
    - Drain-Source On-State Resistance (RDS(ON)): VGS=10V, ID=8A 最大 16mΩ; VGS=4.5V, ID=4A 最大 24mΩ
    - 动态电气特性
    - Input Capacitance (Ciss): VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 455pF
    - Output Capacitance (Coss): 75pF
    - Reverse Transfer Capacitance (Crss): 60pF
    - Total Gate Charge (Qg): VDS=15V, ID=8A, VGS=10V 11nC
    - Gate-Source Charge (Qgs): 3nC
    - Gate-Drain Charge (Qgd): 4nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在 VGS=10V 和 ID=8A 条件下,导通电阻 RDS(ON) < 16mΩ;在 VGS=4.5V 和 ID=4A 条件下,导通电阻 RDS(ON) < 24mΩ。
    - 先进沟槽技术: 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。
    - 无铅和环保材料: 完全符合绿色环保要求。
    - 100% 测试保证: 包括 UIS 和 ΔVds 测试。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源: 高效转换,降低功耗。
    - 电机驱动: 提供快速开关性能和较低的热损耗。
    - DC-DC 转换器: 减少导通损耗,提高整体效率。
    - 使用建议:
    - 确保工作温度在存储和操作温度范围内(-55°C 至 150°C)。
    - 在大电流条件下使用时,注意散热设计以避免过热。
    - 选择合适的栅极电阻(典型值 3.3Ω),以优化开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用 SOP-8 (Dual) 封装,易于与其他标准封装的电子元器件兼容。
    - 支持: 供应商提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用其高性能特性。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 工作温度超出范围
    - 解决方案: 确保所有工作条件均在制造商指定的范围内(-55°C 至 150°C)。
    - 问题2: 导通电阻过高
    - 解决方案: 检查栅极电压设置,确保在适当的 VGS 值(如 10V 或 4.5V)下运行。
    - 问题3: 散热不良
    - 解决方案: 使用有效的散热措施,例如散热片或风扇,确保良好的热管理。

    7. 总结和推荐


    RU30D8HCGTR凭借其低导通电阻、高效的开关性能和先进的沟槽技术,成为一款极具竞争力的功率 MOSFET。适用于各种高电流和高频开关应用。总体来说,该产品具备出色的性能和稳定性,非常值得推荐。如果你的应用需要高效能和高可靠性,RU30D8HCGTR将是一个理想的选择。

RU30D8HCGTR厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

RU30D8HCGTR数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 RU30D8HCGTR RU30D8HCGTR数据手册

RU30D8HCGTR封装设计

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