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HUF75823D3S

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: HUF75823D3S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  HUF75823D3S

HUF75823D3S概述

    HUF75823D3S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HUF75823D3S 是一款高性能的N通道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度等特性。它广泛应用于电源转换、电机驱动、焊接设备等领域,能够提供出色的性能和可靠性。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 150V
    - 连续漏极电流:ID = 20A(TC=25℃),ID (100℃) = 14A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 40A
    - 最大耗散功率:PD = 90W
    - 热阻:RθJC = 1.7℃/W
    - 雪崩能量:EAS = 80mJ
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55℃到175℃
    - 输入电容:CISS = 1810pF
    - 输出电容:COSS = 61pF
    - 反向传输电容:CRSS = 45pF
    - 门极电荷:Qg = 45nC
    - 反向恢复电荷:Qrr = 53nC
    - 反向恢复时间:trr = 32ns
    - 反向导通电压:VSD = 1.2V

    产品特点和优势


    HUF75823D3S 具有以下独特功能和优势:
    - 先进的沟槽技术:提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。
    - 增强的可靠性和耐久性:通过100% UIS和ΔVds测试。
    - 环保设计:无铅且绿色环保。
    这些特点使其在电源管理和其他高效率应用中表现出色,成为市场上的竞争者。

    应用案例和使用建议


    HUF75823D3S 可用于多种应用场景,如电源转换器、电机驱动和焊接设备。例如,在一个开关电源的设计中,它可以作为主开关晶体管使用。使用时应注意以下几点:
    - 确保电路的散热设计足够,以防止过热损坏。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以确保低损耗切换。

    兼容性和支持


    HUF75823D3S 与其他标准封装和接口兼容,便于集成到现有的电路设计中。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,以帮助用户解决潜在问题并优化性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热 | 改善散热设计,增加散热片或改进冷却系统。 |
    | 开关损耗大 | 优化栅极驱动电路,减少门极电荷。 |
    | 雪崩击穿 | 检查电路设计,确保不超过最大雪崩能量限制。 |

    总结和推荐


    HUF75823D3S 是一款高性能的N通道增强型功率MOSFET,以其低导通电阻、快速开关速度和先进的制造工艺脱颖而出。无论是电源转换还是电机驱动应用,它都能提供卓越的性能和可靠性。推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用此产品。

HUF75823D3S厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

HUF75823D3S数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 HUF75823D3S HUF75823D3S数据手册

HUF75823D3S封装设计

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