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BSO110N03MS G

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: BSO110N03MS G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  BSO110N03MS G

BSO110N03MS G概述


    产品简介


    本产品为一款N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(N沟道增强型功率MOSFET),型号为BSO110N03MS G。它具备出色的电气性能和低导通电阻特性,适用于多种高电流应用场合。这款MOSFET广泛应用于开关电源、直流电机控制、LED驱动电路以及其他需要高效功率转换的应用领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 | V |
    | 漏极连续电流(TA=25°C) | ID | 10 | A |
    | 漏极连续电流(TA=70°C) | ID | 8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IAIDM | 45 | A |
    | 总功耗(TA=25°C) | PD | 1.9 | W |
    | 总功耗(TA=70°C) | PD | 1.2 | W |
    | 热阻(结至环境) | θJA | 66 | °C/W |
    | 结温与存储温度范围 | TJ, TSTG | -55~+150 | °C |
    额定电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 20 | V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS=±10V, VDS=0V | ±100 | nA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 0.5 | 2.0 | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=10A | 11 | mΩ |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=2.5V, ID=4A | 14 | mΩ |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=1.8V, ID=2A | 18.2 | mΩ |
    | 二极管正向电压 | VSD | IS=10A, VGS=0V | 1.2 | V |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | 888 | pF |
    | 输出电容 | Coss 133 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss 117 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | VGS=4.5V, VDS=10V, ID=6.8A | 11.05 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs 1.73 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd 3.1 | nC |
    | 开启延迟时间 | tD(on) | VGS=4.5V, VDS=10V, ID=6.8A, RGEN=3Ω | 7 | ns |
    | 开启上升时间 | tr 46 | ns |
    | 关闭延迟时间 | tD(off) 30 | ns |
    | 关闭下降时间 | tf 52 | ns |

    产品特点和优势


    BSO110N03MS G具有如下特点和优势:
    - 低导通电阻:在VGS=4.5V时,RDS(ON)<11mΩ;在VGS=2.5V时,RDS(ON)<14mΩ。这使得该MOSFET在开关电源和其他高电流应用中表现优异。
    - 先进的沟槽技术:提供优秀的RDS(ON)和低栅极电荷,有助于提高能效和可靠性。
    - 无铅环保设计:符合RoHS标准,绿色可持续。
    - 全面测试:100% UIS测试和ΔVds测试,确保产品质量可靠。

    应用案例和使用建议


    BSO110N03MS G广泛应用于各种高电流场合,如开关电源、直流电机控制等。例如,在一个开关电源应用中,该MOSFET可以有效地降低能耗,提升整体能效。
    使用建议
    1. 散热管理:鉴于其较高的总功耗,建议在使用过程中进行有效的散热管理,以确保其长期稳定运行。
    2. 驱动电路设计:为了减少栅极电荷的影响,建议设计合理的驱动电路,避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BSO110N03MS G具有SOP-8封装形式,易于与其他电子元器件集成。
    - 厂商支持:由公司官网www.bychip.cn提供技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻,优化驱动电路设计。 |
    | 温度过高 | 增加散热措施,确保良好的热管理。 |
    | 寿命短 | 检查是否存在过载或散热不良的情况,确保在额定条件下使用。 |

    总结和推荐


    BSO110N03MS G是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,具备低导通电阻、高效的栅极电荷特性和全面的质量保证。适用于高电流应用场合,且具备优秀的兼容性和完善的厂商支持。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高效功率转换的应用场景。

BSO110N03MS G厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

BSO110N03MS G数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 BSO110N03MS G BSO110N03MS G数据手册

BSO110N03MS G封装设计

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