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IPD30N08S2-22

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: IPD30N08S2-22
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  IPD30N08S2-22

IPD30N08S2-22概述

    # IPD30N08S2-22 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IPD30N08S2-22 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为各种高电流和高电压应用设计。它具备卓越的低导通电阻(RDS(ON))特性,可提供出色的功率处理能力。IPD30N08S2-22 的主要应用领域包括电源转换、电机驱动、直流-直流转换器和工业自动化系统。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 40 | A |
    | 持续漏极电流 (TC=100℃) | ID (100℃)| 28 | A |
    | 单脉冲漏极电流 | IDM | 160 | A |
    | 最大功耗 | PD | 140 | W |
    | 耗散因数 | - | 0.94 | W/℃|
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 520 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55 至 175 | ℃ |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 结到外壳热阻 (注2) | RθJC | 1.07 | ℃/W |
    电气特性 (TC=25℃)
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100| nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 4 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=28A | - | 17 | - | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 3400| - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 290 | - | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | VDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 221 | - | pF |
    | 开关延迟时间 | td(on) | - | 15 | - | - | ns |
    | 开启上升时间 | tr | - | 11 | - | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 52 | - | - | ns |
    | 关断下降时间 | tf | VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω, RG=2.5Ω, VGS=10V | - | 13 | - | ns |
    | 总栅电荷 | Qg | - | - | 94 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 16 | - | nC |
    | 栅极漏电荷 | Qgd | ID=30A, VDD=30V, VGS=10V | - | 24 | - | nC |
    | 源极漏二极管导通电压 | VSD | VGS=0V, IS=28A | - | 0.85| 1.2 | V |
    | 反向恢复时间 | trr | - | - | 33 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | TJ = 25°C, IF = 28A, di/dt = 100A/μs | - | 54 | - | nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)):当 VGS=10V 时,RDS(ON)<17mΩ;当 VGS=4.5V 时,RDS(ON)<22mΩ。这使得 IPD30N08S2-22 在高电流应用中表现出色。
    - 先进的沟槽技术:提供优秀的 RDS(ON) 和低栅极电荷,使得在开关过程中损耗更小。
    - 环保材料:采用无铅和绿色材料制造,符合环保要求。
    - 严格测试:100%UIS测试和ΔVds测试确保产品的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:利用其低导通电阻特性,提高效率并减少发热量。
    - 电机驱动器:在电机启动和运行过程中提供稳定的电流控制。
    - 直流-直流转换器:在高效转换过程中减少能量损失。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的功耗(PD=140W),在使用过程中需注意良好的散热措施。
    - 驱动电路设计:考虑到其较低的栅电荷(Qg=94nC),选择合适的驱动器以保证快速和可靠的开关性能。
    - 环境适应性:考虑到其宽广的工作温度范围(-55℃至175℃),适用于极端环境下的应用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD30N08S2-22 支持常见的焊接和安装工艺,适用于广泛的 PCB 设计。
    - 技术支持:厂商提供详细的技术文档和在线支持,确保用户能够顺利进行产品设计和应用。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 发热问题:长时间工作导致温度过高。
    2. 开关速度慢:开关频率不稳定。
    3. 电流波动:电流无法稳定输出。
    解决方案
    1. 改善散热:增加散热片或散热风扇,以降低工作温度。
    2. 优化驱动电路:选择合适的栅极电阻(RG=2.5Ω)以加快开关速度。
    3. 调整负载:确保负载在合理范围内,避免电流波动。

    总结和推荐



    总结


    IPD30N08S2-22 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,在其关键参数上具有显著优势,特别是低导通电阻和低栅极电荷,非常适合高电流和高电压的应用场合。严格的测试和环保材料进一步提高了其可靠性和市场竞争力。
    推荐
    鉴于其出色的表现和广泛应用,我们强烈推荐 IPD30N08S2-22 用于各种需要高效率和高性能的电力应用。同时建议用户在使用前仔细阅读技术手册,确保正确的安装和使用方法。

IPD30N08S2-22厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

IPD30N08S2-22数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 IPD30N08S2-22 IPD30N08S2-22数据手册

IPD30N08S2-22封装设计

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