处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFR2905TRLPBF

IRFR2905TRLPBF

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: IRFR2905TRLPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  IRFR2905TRLPBF

IRFR2905TRLPBF概述

    # 电子元器件技术手册:IRFR2905TRLPBF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    IRFR2905TRLPBF是一款N通道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的耐压、低导通电阻(RDS(ON))和高频开关特性。该器件主要用于各种高电流和高频应用,如电机驱动、电源转换器和电池管理系统等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 50 | A |
    | 连续漏极电流(TC=100℃) | ID(100℃) | 35.4 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 85 | W |
    | 待机损耗因子 | 0.57 | W/℃ |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 200 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55 到 175 | ℃ |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结到外壳热阻 | RθJC | 1.8 | ℃/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 60 | - | - | V |
    | 栅漏体泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 3.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 12 | mΩ |
    VGS=4.5V, ID=20A | - | 16 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=30V,VGS=0V, F=1.0MHz | - | 1630 | PF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 113 | PF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 97 | PF |
    | 开关特性 | td(on) | VDD=30V, RL=6.7Ω | - | 15 | nS |
    tr - | 20 | nS |
    td(off) - | 120 | nS |
    tf - | 15.6 | nS |
    | 门极电荷 | Qg | VDS=30V,ID=20A, VGS=10V | - | 39 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs - | 7 | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd - | 8.5 | nC |
    | 正向导通电压 | VSD | VGS=0V, IS=20A | - | 1.2 | V |
    | 反向恢复时间 | trr | TJ=25°C, IF=20A, di/dt=100A/μs | - | 28 | nS |
    | 反向恢复电荷 | Qrr - | 40 | nC |

    产品特点和优势


    1. 出色的导通电阻(RDS(ON)):在VGS=10V时,RDS(ON)<12mΩ;在VGS=4.5V时,RDS(ON)<16mΩ。
    2. 先进的沟槽技术:提供优秀的导通电阻和低栅极电荷。
    3. 环保设计:无铅、绿色材料可选。
    4. 测试全面:100% UIS测试,100% ΔVds测试。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFR2905TRLPBF广泛应用于需要高电流和高频操作的应用,例如电机驱动系统、电源转换器、电池管理系统等。
    使用建议
    1. 电路设计:确保电路布局合理,尽量减少杂散电感,以提高系统的稳定性和效率。
    2. 散热管理:由于最大功率耗散为85W,需要注意散热设计,特别是高温环境下。
    3. 保护措施:在关键点添加保护二极管,以防止过压或反向电压冲击。

    兼容性和支持


    IRFR2905TRLPBF采用TO-252-2L封装,易于安装和焊接。其与大多数标准PCB布局兼容。厂商提供详细的技术文档和支持,包括设计指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热
    - 解决方案:检查散热片是否正确安装,并考虑增加散热片面积或使用散热风扇。
    2. 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:确认门极电压是否足够高,以确保MOSFET处于线性区。增加VGS至10V可以显著降低RDS(ON)。
    3. 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查电路中的杂散电感和电容,确保门极驱动器的稳定性。适当调整门极电阻值也可以改善开关特性。

    总结和推荐


    IRFR2905TRLPBF是一款高性能的N通道增强型功率MOSFET,具有出色的导通电阻、高频开关特性和环保设计。适用于多种高电流和高频应用。建议在设计时充分考虑散热管理和保护措施,以确保最佳性能和可靠性。鉴于其出色的表现和广泛应用,强烈推荐使用此产品。

IRFR2905TRLPBF厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

IRFR2905TRLPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 IRFR2905TRLPBF IRFR2905TRLPBF数据手册

IRFR2905TRLPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.704
500+ ¥ 1.573
2000+ ¥ 1.4419
6000+ ¥ 1.3108
库存: 50000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 17.04
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
#636CY-470M=P3 ¥ 14.2296
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.891.606 ¥ 484.9515
0.891.607 ¥ 484.9515
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879