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STD55NF06-TR

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: STD55NF06-TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  STD55NF06-TR

STD55NF06-TR概述


    产品简介


    STD55NF06-TR 是一款由 BYCHIP 提供的 N-沟道增强型功率 MOSFET。它适用于各种需要高电流、低导通电阻的应用场景。这类器件广泛应用于汽车电子、工业自动化、电源管理和消费电子产品等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):50 A
    - 连续漏极电流(TC=100℃)(ID (100℃)):35.4 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 最大耗散功率(PD):85 W
    - 热阻(结到外壳)(RθJC):1.8 ℃/W
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):200 mJ
    - 最大工作结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55℃ 至 175℃

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压为 10V 时小于 12 mΩ,在栅源电压为 4.5V 时小于 16 mΩ
    - 先进沟槽技术:提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
    - 无铅且环保:符合 RoHS 标准
    - 100% 雪崩测试:确保产品的可靠性和稳定性
    - 高热导率:快速散热,提高可靠性

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:用于电池管理系统中的开关电路
    - 工业自动化:适用于电机驱动和逆变器控制
    - 电源管理:用于直流-直流转换器和电源稳压模块
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,以避免超过最大工作温度。
    - 在设计电路时,选择合适的栅极电阻值,以平衡开关速度和功耗。
    - 使用时务必注意栅极过电压保护,以免损坏 MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO-252-2L 封装的引脚分配完全兼容,方便集成和替换。
    - 支持:BYCHIP 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、应用指导和故障排查。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高频应用中发热严重。
    - 解决方案:增加外部散热片,优化 PCB 布局以提高散热效率。
    2. 问题:MOSFET 在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:选用热导率更高的散热材料,并确保在设计中留有足够的散热空间。
    3. 问题:MOSFET 开关过程中产生过高的瞬态电压。
    - 解决方案:添加适当的栅极电阻,降低开关速度,并使用箝位二极管保护电路。

    总结和推荐


    STD55NF06-TR 是一款高性能的 N-沟道增强型功率 MOSFET,具备出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷特性。它适用于多种高电流、高可靠性的应用场景,具有很高的市场竞争力。对于需要高可靠性和稳定性的应用场合,强烈推荐使用此款产品。通过正确的使用方法和良好的散热设计,可以充分发挥其优异的性能,确保系统的长期稳定运行。

STD55NF06-TR厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

STD55NF06-TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 STD55NF06-TR STD55NF06-TR数据手册

STD55NF06-TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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