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FDD5810

产品分类:
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: FDD5810
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯  FDD5810

FDD5810概述

    # FDD5810 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDD5810 是一款 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效率电力转换应用设计。其典型特征包括低导通电阻(RDS(ON))和优秀的开关性能,适用于多种电力管理场景。主要功能包括负载开关、电源逆变器及电机驱动等领域,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等行业。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):30A
    - 最大耗散功率 (PD):50W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):144mJ
    - 热阻 (RθJC):3℃/W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55℃ 至 175℃
    电气特性
    - 零门限电压 (VGS(th)):1.0 至 3.0V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):≤27mΩ (VGS=10V),≤33mΩ (VGS=4.5V)
    - 输入电容 (Ciss):1900pF
    - 反向恢复时间 (trr):35ns

    产品特点和优势


    FDD5810 的核心优势在于其先进的沟槽技术,确保了极低的导通电阻和快速的开关性能。同时,其“无铅”和“绿色环保”的特性使其在现代化电子产品中有较高的适用性。此外,100%的UIS测试和ΔVds测试表明了其卓越的质量保证,特别适合高可靠性的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    FDD5810 广泛应用于负载开关、DC-DC 转换器和高频逆变器等领域。例如,在消费电子产品中,可以作为高效负载开关来控制电路通断;在工业自动化领域,可用作高效逆变器的核心元件。
    使用建议
    为了最大化 FDD5810 的性能,应尽量保持其工作温度低于极限值,并注意散热设计以降低热阻。同时,正确设置栅极驱动电路,避免过高的 VGS 引起的损坏。

    兼容性和支持


    FDD5810 支持标准 TO-252 封装,便于焊接和组装。厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括在线技术论坛和技术支持热线,确保客户在使用过程中获得及时帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致设备失效 | 优化散热设计,确保良好的热传导路径 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻,减小栅极充电时间 |
    | 稳定性差 | 检查 PCB 布局,确保信号完整性 |

    总结和推荐


    综上所述,FDD5810 功率 MOSFET 在高效能电力管理和高性能开关应用中表现优异,具有良好的市场竞争力。其卓越的导通电阻和快速开关性能使其成为现代电力电子设备的理想选择。因此,强烈推荐此产品用于需要高效、可靠电力控制的应用场景。

FDD5810厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

FDD5810数据手册

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BYCHIP/百域芯 BYCHIP/百域芯 FDD5810 FDD5810数据手册

FDD5810封装设计

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