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DMP3099L

产品分类:
产品描述:
供应商型号: DMP3099L SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  DMP3099L

DMP3099L概述

    DMP3099L P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    DMP3099L 是由华宣阳电子科技有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)设计并制造的一款高性能P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它采用了先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷,并且能在2.5V的低栅极电压下正常运行。DMP3099L 主要用于电池保护或开关电源等场合。

    技术参数


    以下是DMP3099L的主要技术参数,以供参考:
    - 最大耐压:VDS = -30V
    - 最大连续漏电流:ID = -4.1A
    - 导通电阻:RDS(ON) < 56mΩ @ VGS=10V
    - 最高功率耗散:PD = 1.32W
    - 栅源电压范围:VGS = ±20V
    - 绝对最大额定值:
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 热阻:RθJA = 125°C/W

    产品特点和优势


    DMP3099L 的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性:
    - 高功率和电流处理能力:适用于大电流和高功率需求的应用。
    - 低栅极电荷:降低功耗,提高效率。
    - 宽温度范围适应性:能够在广泛的温度范围内稳定运行。
    - 小尺寸封装:SOT-23 封装,便于集成于紧凑电路板设计。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:适合用于便携式设备的电池保护电路,确保设备安全。
    - 开关电源:适用于需要高效切换的电源管理应用。

    使用建议:
    - 在设计时需考虑散热措施,特别是在高电流或高功率条件下运行时。
    - 考虑到热阻值为125°C/W,当使用该MOSFET时,要确保适当的冷却设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMP3099L 可与多种标准SOT-23封装的引脚排列兼容。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档、应用指南及售后技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅源电压导致MOSFET损坏
    - 解决方案:确保 VGS 不超过规定范围(±20V)。

    - 问题2:过载电流导致MOSFET发热严重
    - 解决方案:在高电流工作环境下增加散热片或采用主动冷却方案。

    总结和推荐


    DMP3099L P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款性能优异的P沟道MOSFET,适合应用于高可靠性的电池保护和开关电源管理。它具有出色的电气性能、低栅极电荷、紧凑的封装和宽温度范围适应性。对于寻求高效能且可靠的电子元件的工程师来说,这款MOSFET是理想的选择。因此,我们强烈推荐在相关的电路设计中使用DMP3099L。

DMP3099L厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

DMP3099L数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 DMP3099L DMP3099L数据手册

DMP3099L封装设计

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