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VESD05C1-HD1-G3-08

产品分类:
产品描述:
供应商型号: VESD05C1-HD1-G3-08 DFN1006-2A
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  VESD05C1-HD1-G3-08

VESD05C1-HD1-G3-08概述

    VESD05C1-HD1-G3-08 ESD保护二极管技术手册

    产品简介


    VESD05C1-HD1-G3-08是一款由华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD)生产的ESD保护二极管。该产品主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件造成的损坏或干扰。它具有出色的钳位能力、低漏电流和低电容特性,适用于暴露在ESD环境下的设计。此外,该产品能够在单向线路上提供灵活的保护方案,适用于那些不适合采用阵列保护的应用场合。

    技术参数


    - 产品型号: VESD05C1-HD1-G3-08
    - 订购信息: 订购数量为10000个
    - 绝对额定值
    - 铅温度最大值:260°C (焊接时间10秒)
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大结温:150°C
    - 性能参数
    - 反向工作电压(VRWM):5.0 V
    - 反向击穿电压(VBR):6.2 V
    - 反向漏电流(IR):1.0 μA (当VRWM = 5V时)
    - 钳位电压:11.6 V (当VR = 0V, f = 1MHz时)
    - 结电容(CJ):80 pF (典型值)
    - 峰值脉冲功率(PPP):150 W (8/20 μs)
    - 电气特性
    - IEC 61000-4-2 (ESD):接触放电±8 kV,空气放电±15 kV
    - IEC 61000-4-4 (EFT):40 A (5/50 ns)
    - 超小封装:1.0 mm x 0.6 mm x 0.5 mm

    产品特点和优势


    1. 出色的ESD防护能力:VESD05C1-HD1-G3-08能够承受高达±15 kV的空气放电和±8 kV的接触放电,确保电路的安全性。
    2. 低电容和低漏电流:该二极管的电容仅为80 pF (典型值),同时漏电流低至1.0 μA,适合高敏感度电路的应用。
    3. 快速响应时间:其快速响应时间提供了业内领先的ESD防护效果。
    4. 超小封装:1.0 mm x 0.6 mm x 0.5 mm的小尺寸封装,便于集成到紧凑型电路板设计中。

    应用案例和使用建议


    VESD05C1-HD1-G3-08广泛应用于各种高速数据线和控制线的保护。例如,在高速通信接口(如USB、HDMI)的ESD防护中,它可以有效防止因静电放电导致的数据丢失或系统故障。此外,在汽车电子和工业控制系统中,该二极管也常用于保护敏感的半导体元件。
    使用建议:
    - 在应用中确保符合所有电气规范,特别是峰值脉冲功率和工作温度要求。
    - 尽可能将该二极管安装在靠近易受ESD影响的电路位置,以最大化保护效果。
    - 定期进行测试和维护,确保其正常工作状态。

    兼容性和支持


    VESD05C1-HD1-G3-08与标准SMT工艺兼容,可以轻松集成到现有的生产流程中。华宣阳电子有限公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和故障排除手册。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以通过官方网站(www.hxymos.com)联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备无法正常启动。
    - 解决方案: 检查是否有ESD事件导致内部组件损坏,可以使用万用表测量二极管的反向电阻,确认其是否已失效。
    2. 问题: 设备出现间歇性故障。
    - 解决方案: 确认是否因电压瞬态事件导致的误触发,可以通过模拟不同电压条件下的ESD事件来验证。

    总结和推荐


    VESD05C1-HD1-G3-08是一款高性能的ESD保护二极管,具备出色的ESD防护能力和快速响应时间。其小尺寸封装使其易于集成到各种设计中,特别适用于需要高可靠性的高速数据线路保护。我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要应对高ESD应力的应用场合。如果您需要进一步的支持或详细的使用指南,请访问华宣阳电子有限公司的官方网站。

VESD05C1-HD1-G3-08厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

VESD05C1-HD1-G3-08数据手册

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VESD05C1-HD1-G3-08封装设计

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