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PPMT12V4

产品分类:
产品描述:
供应商型号: PPMT12V4 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  PPMT12V4

PPMT12V4概述

    PPMT12V4 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    PPMT12V4 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD(华宣阳电子有限公司)生产的P沟道增强型MOSFET。该产品采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON)),低门极电荷(Qg),并可在门极电压低至2.5V的情况下正常工作。PPMT12V4适用于电池保护及开关应用等领域,如PWM应用、负载开关和电源管理。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = -20V
    - 连续漏电流:ID = -5A
    - 脉冲漏电流:IDM = -14A
    - 最大功率耗散:PD = 1.31W
    - 最大工作温度:TJ, TSTG = -55°C 至 150°C
    - 热阻(结到环境):RθJA = 120°C/W
    - 导通电阻:RDS(ON) < 45mΩ (VGS = 4.5V)
    - 输出电容:Coss = 114-160pF

    产品特点和优势


    PPMT12V4具有以下显著特点和优势:
    - 高功率和大电流处理能力。
    - 采用无铅工艺生产,环保可靠。
    - 表面贴装封装,易于集成。
    - 低导通电阻和低门极电荷,减少功耗。
    - 宽泛的工作温度范围,适用性广。

    应用案例和使用建议


    PPMT12V4常用于电池保护、负载开关和PWM应用中。为了确保最佳性能,在设计电路时需要注意以下几点:
    - 确保电路布局合理,以避免不必要的热损失。
    - 在大电流情况下使用适当的散热措施,以防止过热。
    - 在进行焊接操作时,注意控制焊接温度和时间,避免对产品造成损坏。

    兼容性和支持


    PPMT12V4采用SOT-23封装,可以方便地与多种PCB进行装配。制造商提供了详细的技术支持和售后维护服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻高
    - 解决方法:检查电路连接是否正确,确保门极电压达到额定值。
    2. 问题:功率耗散过大
    - 解决方法:考虑使用更高效的散热方案,或者减小工作电流。
    3. 问题:漏电流不稳定
    - 解决方法:检查电路是否受到干扰,必要时增加滤波器。

    总结和推荐


    PPMT12V4 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、可靠性高的电子元器件,适用于多种应用场景。其低导通电阻和宽工作温度范围使其在众多领域有着广泛的应用前景。建议在设计电子系统时优先考虑该产品,特别是对于需要高效能和稳定性的应用。
    华宣阳电子有限公司提供的技术支持和服务保证了用户的使用体验。通过合理的设计和使用建议,用户可以充分发挥PPMT12V4的优势,实现最佳性能。

PPMT12V4厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

PPMT12V4数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PPMT12V4 PPMT12V4数据手册

PPMT12V4封装设计

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