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SI4153

产品分类:
产品描述:
供应商型号: SI4153 SOT-523
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  SI4153

SI4153概述

    SI4153 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    SI4153 是一款由华宣阳电子科技有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的N沟道增强型MOSFET。这种类型的晶体管广泛应用于电池保护、负载开关、不间断电源等领域。它具有低栅极电荷、高开关速度等特点,使其成为各种电路设计的理想选择。

    技术参数


    SI4153的主要技术参数如下:
    - 额定电压:VDS = 20V
    - 连续漏电流:ID = 0.8A
    - 最大耗散功率:Pd = 0.15W
    - 热阻:RθJA = 850°C/W
    - 封装类型:SOT-523
    - 输入电容:Ciss = 50pF
    - 输出电容:Coss = 7pF
    - 反向传输电容:Crss = 4.5pF
    - 最大存储温度范围:TSTG = -55℃ 至 150℃
    - 工作温度范围:TJ = -55℃ 至 150℃

    产品特点和优势


    SI4153具有以下特点和优势:
    - 出色的导通电阻:在VGS=4.5V时,RDS(ON)<250mΩ;在VGS=2.5V时,RDS(ON)<360mΩ,提供高效的电力传输。
    - 低栅极电荷:适合于高频应用。
    - 宽泛的工作温度范围:-55℃ 至 150℃,适用于严苛环境。
    - 先进的沟槽技术:保证低阈值电压,可以在较低的栅极电压下正常工作(如2.5V)。

    应用案例和使用建议


    SI4153被广泛应用于电池保护、负载开关和不间断电源系统。具体应用案例包括:
    - 电池保护:确保电池在不同条件下的安全运行。
    - 负载开关:高效切换负载电流。
    - 不间断电源:保持电源供应的连续性。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,注意控制栅极驱动电压不超过±8V,避免器件损坏。
    - 在选择电路布局时,建议使用FR4板材,以保证散热效果。

    兼容性和支持


    SI4153 的 SOT-523 封装标准,可以与多种电路板兼容。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,以帮助用户解决使用过程中的任何问题。如果有需要,可联系华宣阳电子科技有限公司获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压超过极限,导致器件损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压在±8V范围内使用。
    - 问题:散热不良,造成器件过热。
    - 解决方案:采用合适尺寸的散热片,提高热传导效率。

    总结和推荐


    SI4153 N-Channel Enhancement Mode MOSFET凭借其出色的导通电阻、低栅极电荷和宽泛的工作温度范围,在电池保护和负载开关等领域表现优异。它的先进技术和广泛应用使其在市场上具备很强的竞争力。对于那些追求高性能、可靠性和适应性强的设计工程师来说,这款MOSFET是一个非常理想的选择。强烈推荐在电池保护和负载开关设计中使用此产品。

SI4153厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

SI4153数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SI4153 SI4153数据手册

SI4153封装设计

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