处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFS5826NLTWG

NVTFS5826NLTWG

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NVTFS5826NLTWG DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  NVTFS5826NLTWG

NVTFS5826NLTWG概述

    # NVTFS5826NLTWG N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS5826NLTWG 是一款由华轩阳电子(深圳)有限公司(HXY)生产的N沟道增强型MOSFET。它采用先进的沟槽工艺技术,提供了卓越的RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷,并且能够在4.5V的低栅源电压下正常工作。这种器件适用于电池保护、开关电源以及其他需要高效能和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    主要规格
    - VDS (漏源电压):60V
    - ID (连续漏电流):40A (25°C)
    - ID (连续漏电流):20A (100°C)
    - RDS(ON) (导通电阻):12mΩ~15mΩ (VGS=10V)
    - IDM (脉冲漏电流):150A
    - EAS (单脉冲雪崩能量):36mJ
    - PD (总功耗):30W (25°C)
    - 存储温度范围:-55°C ~ 150°C
    - 热阻:RθJA (结至环境):162°C/W;RθJC (结至壳体):2.5°C/W
    电气特性
    - V(BR)DSS (漏源击穿电压):60V
    - IDSS (零栅电压漏电流):1.0μA
    - IGSS (栅体泄漏电流):±100nA
    - VGS(th) (栅阈电压):1.0V~2.5V
    - Ciss (输入电容):930pF
    - Coss (输出电容):230pF
    - Crss (反向传输电容):8pF
    - Qg (总栅极电荷):22nC
    - Qgs (栅源电荷):4.5nC
    - Qgd (栅漏电荷):3.5nC
    开关特性
    - td(on) (导通延迟时间):4.5ns
    - tr (导通上升时间):2.7ns
    - td(off) (关断延迟时间):13.8ns
    - tf (关断下降时间):2.7ns

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=10V,确保了极低的导通损耗,适用于高效率的应用场景。
    2. 高可靠性:通过先进的沟槽工艺技术实现,能够在极端温度和电压条件下保持稳定的性能。
    3. 低栅极电荷:Qg仅为22nC,降低了驱动电路的功率消耗,提升了整体效率。
    4. 多种封装选择:提供DFN3X3-8L封装,体积小,便于集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:适用于便携式电子设备,确保电池在异常情况下得到保护。
    - 负载开关:可用于数据中心和服务器,实现高效且可靠的电源管理。
    - 不间断电源:作为UPS系统的关键组件,确保系统在电力中断时能够无缝切换到备用电源。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高的总功耗,建议采取有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇,以保证长期稳定运行。
    - 驱动电路设计:鉴于其较低的栅极电荷,可以选择适当的栅极驱动器以减少功耗和提高效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准的N沟道MOSFET广泛兼容,适用于各种电路设计。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时发热严重。
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,考虑增加散热片或使用散热风扇。
    2. 问题:启动速度慢。
    - 解决办法:检查驱动电路是否匹配,优化栅极电阻值,降低驱动电阻以加快响应速度。
    3. 问题:无法达到额定电流。
    - 解决办法:确认连接是否良好,是否有接触不良或焊接缺陷,必要时重新焊接或更换元件。

    总结和推荐


    NVTFS5826NLTWG 在电池保护和电源管理方面表现出色,特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。其优秀的电气特性和紧凑的设计使其成为一种极具竞争力的产品。考虑到其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐将其用于电池保护、负载开关及不间断电源等关键应用场合。

NVTFS5826NLTWG厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFS5826NLTWG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFS5826NLTWG NVTFS5826NLTWG数据手册

NVTFS5826NLTWG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.9102
15000+ ¥ 0.895
25000+ ¥ 0.8723
库存: 300000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 4551
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
#636CY-470M=P3 ¥ 14.2296
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.891.606 ¥ 484.9515
0.891.607 ¥ 484.9515
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879