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VESD12A1C-HD1-GS08

产品分类:
产品描述:
供应商型号: VESD12A1C-HD1-GS08 LLP1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  VESD12A1C-HD1-GS08

VESD12A1C-HD1-GS08概述


    产品简介


    VESD12A1C-HD1-GS08 ESD保护二极管
    VESD12A1C-HD1-GS08是一款由华宣阳电子有限公司(HuaXuanYang Electronics CO., LTD)生产的ESD保护二极管。该二极管主要用于保护敏感半导体器件免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件引起的损坏或干扰。它具有出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容等特性,特别适用于暴露在ESD环境下的设计。此外,该二极管还可为单向线提供灵活的保护,特别适合在阵列不实用的应用场景中使用。

    技术参数


    - 工作电压: 12V
    - 峰值脉冲功率: 150W (8/20μs)
    - 峰值温度: 260°C
    - 存储温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 最大结温: 150°C
    - 反向击穿电压: 13.3V (1mA时)
    - 反向漏电流: 1000nA (12V时)
    - 钳位电压: 20V (4A时)
    - 电容: 35pF (0V时,1MHz频率)

    产品特点和优势


    VESD12A1C-HD1-GS08的主要特点是其出色的ESD防护能力,能够在接触放电±8kV和空气放电±15kV的条件下提供有效的保护。此外,该二极管具备低电容和低泄漏电流的特点,使其特别适合高频率信号线路的保护。其小巧的封装(1.0mm x 0.6mm x 0.5mm)也使得该二极管易于集成到各种紧凑型设计中。这些特性使得VESD12A1C-HD1-GS08在保护敏感电子设备方面表现出色,确保了系统的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    VESD12A1C-HD1-GS08适用于多种需要ESD防护的应用场合,例如高速数据线、控制线路等。为了最大化其性能,建议在设计过程中合理选择安装位置,确保信号线不会受到不必要的噪声干扰。同时,考虑到该二极管的工作电压和电容特性,用户在选择其他配套元器件时应注意匹配性,以避免潜在的信号完整性问题。

    兼容性和支持


    VESD12A1C-HD1-GS08采用DFN1006-2L封装,适用于广泛的PCB设计,并且与市场上常见的焊接工艺兼容。华宣阳电子有限公司提供了详细的技术支持文档,包括安装指南、测试方法等,用户可以在其官方网站上获取更多资源。此外,公司还提供快速响应的客户服务和技术支持,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高频应用中,电容值过高导致信号衰减。
    - 解决方案: 确保选用了合适的电容值,并进行必要的阻抗匹配。

    - 问题2: 反向击穿电压过低,导致设备损坏。
    - 解决方案: 检查并确认所使用的电压在规定的安全范围内,并采取必要的保护措施。
    - 问题3: 设备在使用过程中出现故障。
    - 解决方案: 确认焊接质量和PCB设计是否符合要求,并检查是否有超出额定值的情况发生。

    总结和推荐


    总体来看,VESD12A1C-HD1-GS08是一款性能优异的ESD保护二极管,适用于多种需要高可靠性ESD防护的应用场合。其出色的钳位能力和低电容特性使其在高频率信号线路中表现尤为出色。尽管该二极管的封装较小,但在设计过程中通过合理的布局和选型,完全可以实现高效可靠的保护。因此,对于需要ESD防护的应用场景,强烈推荐使用VESD12A1C-HD1-GS08。

VESD12A1C-HD1-GS08厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

VESD12A1C-HD1-GS08数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 VESD12A1C-HD1-GS08 VESD12A1C-HD1-GS08数据手册

VESD12A1C-HD1-GS08封装设计

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