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BAV99WT1G

产品分类:
产品描述:
供应商型号: BAV99WT1G SOT-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  BAV99WT1G

BAV99WT1G概述

    BAV99WT1G 快速开关二极管技术手册

    产品简介


    BAV99WT1G 是一款适用于通用开关应用的快速开关二极管,由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)制造。该二极管具有高速开关特性,高传导率和表面贴装封装,非常适合自动插入式装配工艺。广泛应用于各种电子设备中,如电源管理、信号处理和电路保护等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 反向电压 | 70 V |
    | 正向电流 200 mA |
    | 正向电压 | 0.715 | 0.855 | 1.25 | V |
    | 反向恢复时间 6 ns |
    | 结温范围 | -40 125 | °C |
    | 储存温度范围 | -55 150 | °C |
    | 热阻 550 °C/W |
    其他关键参数还包括:
    - 反向峰值电流:2.0 A
    - 功耗:225 mW
    - 反向漏电流:2.5 μA (70V时)
    - 电容:1.5 pF (f=1MHz)

    产品特点和优势


    1. 高速开关特性:低至6纳秒的反向恢复时间确保快速响应,适合高频应用。
    2. 高传导率:200mA的正向电流支持多种电路需求。
    3. 表面贴装封装:SOT-323封装适合自动化装配工艺,提高生产效率。
    4. 高可靠性:结温范围宽,可适应各种工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    BAV99WT1G 通常用于需要高速开关的应用场合,如信号处理、电源管理和电路保护等。例如,在电源转换电路中,它可以用于保护敏感组件免受电压瞬变的影响。
    使用建议:
    1. 在高频率应用中,注意反向恢复时间对系统性能的影响。
    2. 确保电路设计中的散热措施能够承受其最大功耗(225 mW)。
    3. 使用时需考虑反向漏电流对整个电路的影响,特别是在高精度测量场合。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BAV99WT1G 具有广泛的兼容性,可以与市面上大多数标准表面贴装设备兼容。
    - 支持和服务:HXY 提供详尽的技术文档和用户支持,客户可以通过其官网或联系本地代表获取进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确焊接 BAV99WT1G?
    答:建议使用恒温烙铁进行焊接,焊接温度不宜超过300°C,焊接时间为2-3秒。确保焊接后冷却自然,避免因热冲击导致损坏。

    2. 问:反向电压超出规格会导致什么问题?
    答:反向电压超过规格会显著增加反向漏电流,可能会影响整体电路的稳定性。建议在实际应用中遵循反向电压的额定值,避免过度使用。

    总结和推荐


    BAV99WT1G 快速开关二极管以其卓越的高速开关特性、高传导率和优异的可靠性,成为许多高性能电子设备的理想选择。其宽泛的工作温度范围和表面贴装封装使其适用于广泛的工业和消费电子产品。建议在需要高性能、高可靠性的开关二极管的应用中使用 BAV99WT1G。

BAV99WT1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BAV99WT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BAV99WT1G BAV99WT1G数据手册

BAV99WT1G封装设计

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