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HESDNC3V3B1EL-A

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HESDNC3V3B1EL-A SOD-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HESDNC3V3B1EL-A

HESDNC3V3B1EL-A概述

    电子元器件产品技术手册:HESDNC3V3B1EL-A ESD保护二极管

    产品简介


    HESDNC3V3B1EL-A是一种专为电路设计者提供静电放电(ESD)及其他电压瞬态事件保护而设计的ESD保护二极管。这种小型化封装的ESD保护二极管非常适合用于各种敏感半导体设备的应用场合,以确保系统稳定运行。产品采用SOD-323封装,适用于消费电子、通信设备及工业控制等多个领域。

    技术参数


    HESDNC3V3B1EL-A的技术参数如下:
    - 峰值脉冲功率 (PPP):450 W @ 8/20 μs (峰值脉冲电流IPP=20 A)
    - 最大引脚温度 (TL):260 °C (焊接时间10秒)
    - 存储温度范围 (Tstg):-55到+155 °C
    - 工作温度范围 (Top):-40到+125 °C
    - 最大结温 (Tj):150 °C
    - 人体模型ESD防护等级:16 kV
    - IEC61000-4-2 (ESD) 空气放电:±15 kV
    - IEC61000-4-2 (ESD) 接触放电:±8 kV
    - IEC61000-4-4 (EFT) 电磁瞬变脉冲 (EFT) 防护:40 A
    - 反向工作电压 (VRWM):3.3 V
    - 漏电流 (IR):1 μA @ VRWM
    - 击穿电压 (VBR):5.6 V @ IT (典型值:9 V)
    - 钳位电压 (VC):12 V @ IPP=20 A
    - 最大峰值电流 (IPP):38 A
    - 最大峰值功率 (PPK):450 W
    - 电容 (C):50 pF

    产品特点和优势


    HESDNC3V3B1EL-A具有以下显著特点和优势:
    - 超低漏电流:确保在不导通状态下的电流泄漏极小。
    - 快速响应时间:响应时间通常小于1 ns,能够在瞬间完成保护操作。
    - 高可靠性ESD防护:符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准,具备出色的抗静电放电和电磁瞬变能力。
    - 紧凑型封装:SOD-323封装尺寸小巧,适合紧凑设计需求。
    - 卓越的钳位能力:能够有效地限制瞬态电压,从而保护敏感电子组件。

    应用案例和使用建议


    HESDNC3V3B1EL-A常用于需要保护关键电子组件免受ESD及其他电压瞬态事件损害的应用场合。例如,在通信设备、工业控制和消费电子产品中,HESDNC3V3B1EL-A可作为线路保护元件,防止因静电放电导致的设备损坏。建议在设计时注意选择适当的安装位置,确保电路板上的其他元件也能获得有效的保护。

    兼容性和支持


    HESDNC3V3B1EL-A与其他常规电子元器件具有良好的兼容性,广泛适用于多种电路设计。厂商提供了详尽的技术文档和应用指南,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,厂商还提供客户技术支持服务,以解决用户在使用过程中可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及其解决方案:
    1. 问题:如何正确安装HESDNC3V3B1EL-A?
    解答:参考手册中的电路图和安装说明,确保正确连接二极管并采取正确的焊接工艺。
    2. 问题:如何评估HESDNC3V3B1EL-A的ESD防护效果?
    解答:进行ESD测试并记录测试结果,验证产品是否符合预期的ESD防护性能。
    3. 问题:如何处理设备过热问题?
    解答:确保设备工作在规定的温度范围内,并采取适当的散热措施。

    总结和推荐


    HESDNC3V3B1EL-A是一款高性能、可靠的ESD保护二极管,具有超低漏电流、快速响应时间和高可靠性ESD防护等特点。该产品适用于各种需要保护敏感电子组件免受ESD及其他电压瞬态事件损害的应用场合。强烈推荐用户在相关设计中考虑使用HESDNC3V3B1EL-A,以提升系统的整体稳定性和可靠性。

HESDNC3V3B1EL-A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDNC3V3B1EL-A数据手册

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HESDNC3V3B1EL-A封装设计

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