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VESD05A1-02V-G-08

产品分类:
产品描述:
供应商型号: VESD05A1-02V-G-08 SOD-523
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  VESD05A1-02V-G-08

VESD05A1-02V-G-08概述


    产品简介


    VESD05A1-02V-G-08是一款由华轩阳电子科技有限公司(HXY)生产的ESD保护二极管。这款产品主要用于防止电子设备因静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件而损坏。它具有出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容等特性,特别适用于暴露于ESD的电路设计。此外,它为设计师提供了保护单向线路的灵活性,使得其在难以采用阵列应用的场合也能有效工作。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs):250 W
    - 最大引脚温度 (焊接持续时间10秒):260 °C
    - 存储温度范围:-55 至 +150 °C
    - 工作温度范围:-40 至 +125 °C
    - 最高结温:150 °C
    - 静电放电(ESD)空气放电:±30 KV
    - 静电放电(ESD)接触放电:±30 KV
    - 反向工作电压:6.5 V
    - 反向击穿电压:9.5 V
    - 反向泄漏电流:1.0 μA
    - 钳位电压:20 V
    - 结电容:180 pF

    产品特点和优势


    VESD05A1-02V-G-08 的主要特点包括:
    - 小巧的外形尺寸
    - 低高度
    - 高达250瓦的峰值功率 (8/20 μs脉冲)
    - 低泄漏电流
    - 响应时间通常小于1纳秒
    - 静电放电(ESD)评级为3级(> 16 kV)(人体模型)
    - 符合 IEC61000−4−2 标准(第四级ESD保护)
    - 符合 IEC61000−4−4 标准(第四级EFT保护)
    这些特性使该产品成为许多需要高可靠性的电子设备的理想选择,特别是在需要防止静电放电的场合。

    应用案例和使用建议


    VESD05A1-02V-G-08 可广泛应用于各种电子设备,例如通信设备、工业控制系统、消费电子产品等。这些设备中,敏感半导体部件容易受到静电放电的影响。为了优化其性能,以下是一些建议:
    1. 正确的安装:确保正确安装引脚以避免过度加热和损坏。
    2. 测试环境:在实际应用前,进行充分的测试以验证其性能。
    3. 合理布局:避免将该保护二极管放置在容易受到机械应力的位置。

    兼容性和支持


    VESD05A1-02V-G-08 可与大多数标准电路兼容,但需注意其工作条件。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,客户可以在官网获取更多相关信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:峰值脉冲功率不达标
    - 解决方案:检查安装过程,确保接线无误,且环境温度在允许范围内。

    2. 问题:响应时间过长
    - 解决方案:确认测试环境和电路布局是否正确,适当调整电路参数。

    总结和推荐


    VESD05A1-02V-G-08是一款非常优秀的ESD保护二极管,具有出色的性能和多种应用优势。它在防止静电放电和其他电压瞬变事件方面表现出色,特别适用于高可靠性要求的应用。总的来说,我们强烈推荐该产品用于各类需要防止静电放电的电子设备中。

VESD05A1-02V-G-08厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

VESD05A1-02V-G-08数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 VESD05A1-02V-G-08 VESD05A1-02V-G-08数据手册

VESD05A1-02V-G-08封装设计

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