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HI5112

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HI5112 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HI5112

HI5112概述

    HI5112 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:HI5112是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的N沟道增强型MOSFET。
    主要功能:该器件采用先进的沟槽技术,提供了出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,可承受最低为2.5V的栅极电压。主要用于电池保护和开关应用。
    应用领域:适合用于电池保护、负载开关、不间断电源(UPS)等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20V
    - 连续漏极电流 (ID):6A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):30A(脉宽≤300μs,占空比≤2%)
    - 最大功率耗散 (PD):1.4W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55℃ 至 150℃
    - 热阻 (RθJA):89℃/W
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 栅体漏电流 (IGSS):±10μA(VGS=±10V, VDS=0V)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):1μA(VDS=20V, VGS=0V)

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:确保了卓越的导通电阻和低栅极电荷,提升整体性能。
    - 低工作电压:仅需2.5V的栅极电压即可正常工作,适应更广泛的电路设计需求。
    - 高可靠性:通过严格的测试和认证,可在恶劣环境下稳定运行。
    - 快速响应时间:典型情况下,导通延迟时间为0.5ns,关断延迟时间为12ns,确保高速开关性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电池保护:在便携式设备和储能系统中提供可靠的电池保护。
    2. 负载开关:在需要精确控制电流的应用中,如服务器和通信设备。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保不超过器件的最大额定值,特别是在高温环境下,需注意散热措施。
    - 在电池保护应用中,确保电路设计能够有效应对过流情况。
    - 在负载开关应用中,考虑并联多个器件以提高电流处理能力。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件符合SOT-23封装标准,易于与各种印刷电路板设计兼容。
    - 支持服务:厂商提供详细的技术文档和客户支持,确保用户在使用过程中得到及时帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高电流条件下出现异常发热。
    解决方法:检查电路设计是否合理,特别是散热措施是否到位。必要时增加外部散热片或风扇。

    2. 问题:工作电压不稳定导致器件损坏。
    解决方法:确保输入电压在器件的工作范围内,并加装稳压器。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:先进的沟槽技术、低功耗、高性能和广泛的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品。
    - 推荐使用:对于需要高性能和可靠性的应用,尤其是电池保护和负载开关,HI5112是理想的选择。强烈推荐给需要高效、稳定工作的电子工程师和设计师。
    通过以上分析,可以看出HI5112是一款高性能、多功能的N沟道增强型MOSFET,在多个应用领域中展现出卓越的表现。无论是从技术规格还是从市场前景来看,它都是一款值得信赖的优质产品。

HI5112厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HI5112数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HI5112 HI5112数据手册

HI5112封装设计

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