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HXY50P06D

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HXY50P06D TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HXY50P06D

HXY50P06D概述


    产品简介


    HXY50P06D 是由华轩阳电子有限公司(HXY Electronics)生产的一款P沟道增强型功率场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款产品适用于电池保护、负载开关和不间断电源系统等应用场景。其独特的设计使其在电力转换和开关控制方面表现出色,被广泛应用于消费电子、工业自动化及通信设备等领域。

    技术参数


    主要技术规格
    - 漏源电压 (VDS): -60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 50 A @ TC=25℃, 27 A @ TC=100℃
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 70 A
    - 总功耗 (PD): 52.1 W @ TC=25℃
    - 热阻 (RθJA): 62 ℃/W
    - 工作温度范围: -55℃ 至 150℃
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 24 mΩ @ VGS=10V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): -1.0 V 至 -2.5 V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100 nA @ VGS=±20V
    - 前向跨导 (gfs): 23 S @ VDS=-10V, ID=-18A
    - 栅电荷 (Qg): 25 nC @ VDS=-20V, VGS=-4.5V, ID=-12A

    产品特点和优势


    HXY50P06D 的核心优势在于其采用先进的沟槽技术,实现了低导通电阻和低栅电荷。这些特性使它能够以较低的电压驱动(最低可至4.5V),同时保持高效率。在电池保护和负载开关等应用场景中,这一产品表现出卓越的稳定性和可靠性。此外,其宽广的工作温度范围和良好的散热性能,使得该产品在严苛环境下仍能保持高性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:用于电动汽车或便携式电子设备中,确保电池安全和延长电池寿命。
    2. 负载开关:作为智能电网中的开关组件,实现精确的电力控制。
    3. 不间断电源系统:确保电力供应的稳定性,防止突然断电造成的损失。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热管理,避免过高的结温导致器件损坏。
    - 确保栅源电压不超过额定值,避免对器件造成不可逆的损害。
    - 在设计电路时,合理分配栅极电荷,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    HXY50P06D 支持标准 TO252-2L 封装,易于与其他电子元件兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档,并为客户提供长期的产品维护服务。对于任何设计疑问或故障排查需求,均可联系华轩阳电子的本地技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在使用过程中出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否得当,必要时添加外部散热片或风扇辅助散热。

    2. 问题:输出电流不达标。
    - 解决方案:确认工作电压是否满足要求,检查是否存在过载情况。

    总结和推荐


    HXY50P06D P-Channel MOSFET 凭借其卓越的性能和广泛的应用前景,在市场上具有显著的竞争优势。它不仅适合于电池保护和负载开关等应用场景,还具备出色的耐用性和可靠性。对于寻求高效能、高稳定性的设计师而言,这款产品无疑是一个值得考虑的选择。综上所述,我强烈推荐将 HXY50P06D 用于需要高性能 MOSFET 的项目中。

HXY50P06D厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY50P06D数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY50P06D HXY50P06D数据手册

HXY50P06D封装设计

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