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HI5110

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HI5110 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HI5110

HI5110概述

    # 电子元器件产品技术手册:HI5110 N-Channel MOSFET

    产品简介


    产品类型
    HI5110是一款高性能的N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道MOS场效应晶体管),适用于高电流和高功率应用。
    主要功能
    HI5110利用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷,并且可以使用低至2.5V的门电压进行操作。它主要用于电池保护、开关应用等领域。
    应用领域
    HI5110在各种需要高电流和高功率处理能力的应用中表现出色,特别是在需要小尺寸和高效率的场合,如电池管理、电机驱动、电源转换器等。

    技术参数


    电气特性
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 20 V |
    | VGS | ±12 V |
    | ID | - | 7 A |
    | IDM | - 32 | A |
    | PD | - 2 | W |
    | TJ, TSTG | -55 150 | °C |
    | RθJA | 120 °C/W |
    静态特性
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | V(BR)DSS | 20 V |
    | IDSS | - 1.0 | μA |
    | IGSS | - ±100 | nA |
    | VGS(th) | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
    | RDS(on) | - | 15 mΩ |
    | RDS(on) | - | 19 mΩ |
    动态特性
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | Ciss | - | 700 pF |
    | Coss | - | 132 pF |
    | Crss | - | 114 pF |
    | Qg | - | 15 nC |
    | Qgs | - | 2 nC |
    | Qgd | - | 5.2 nC |

    产品特点和优势


    特点
    - 高电流和高功率处理能力:适用于需要高电流和高功率的应用。
    - 先进的沟槽技术:提供出色的RDS(ON),低栅极电荷。
    - 宽泛的工作电压范围:可使用低至2.5V的门电压进行操作。
    - 高可靠性:通过严格的质量控制流程制造,确保长期稳定运行。
    优势
    - 低导通电阻:典型值为15mΩ@4.5V,进一步降低了损耗。
    - 小尺寸封装:采用SOT-23封装,适合空间受限的应用。
    - 高抗干扰能力:适合多种复杂电磁环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HI5110常用于电池保护电路,能够有效监控电池状态并防止过载。此外,在电机驱动和电源转换器中也有广泛应用。
    使用建议
    - 在使用HI5110时,应注意栅极电压不应超过±12V,以避免损坏。
    - 在高功率应用中,确保散热良好,可使用散热片或风扇辅助散热。
    - 对于重复脉冲工作模式,建议采用合适的电路设计来保证热稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    HI5110与标准的SMT工艺兼容,可直接贴装在PCB板上。其性能指标符合行业标准,便于集成到现有系统中。
    支持和维护
    - 厂商提供详细的安装指南和技术文档,确保客户能够顺利集成和使用。
    - 如遇问题,可通过厂商技术支持热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何防止栅极电压过高?
    解决方案:确保驱动电路输出电压不超过±12V,并使用适当的门极电阻限流。
    问题2:在高功率应用中如何散热?
    解决方案:在PCB上增加散热孔,或者在MOSFET上添加散热片或风扇。
    问题3:如何提高系统的稳定性?
    解决方案:采用合适的电容和滤波电路来减少噪声和干扰。

    总结和推荐


    综合评估
    HI5110以其出色的性能和多功能性在高电流和高功率应用中表现出色。其低导通电阻和先进的制造技术使其成为电池保护、电机驱动和其他开关应用的理想选择。
    推荐使用
    鉴于HI5110在诸多领域的卓越表现和广泛的适用性,我们强烈推荐将这款产品用于需要高可靠性和高效率的电子系统中。

HI5110厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HI5110数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HI5110 HI5110数据手册

HI5110封装设计

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