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HI5121

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HI5121 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HI5121

HI5121概述

    HI5121 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    HI5121 是一款由华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD)生产的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。
    主要功能:
    HI5121 使用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON)),低门极电荷,并能在低至 1.8V 的门极电压下运行。它适用于负载开关或脉宽调制(PWM)应用。
    应用领域:
    - 脉宽调制(PWM)应用
    - 负载开关

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | -20V |
    | 门极源极电压(VGS) | ±12V |
    | 持续漏电流(ID) | -3A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | -10A |
    | 最大功耗(PD) | 0.7W |
    | 结温及存储温度范围(TJ, TSTG) | -55℃ 至 150℃ |
    | 热阻(RθJA) | 178℃/W |
    | 静态参数 | 规格 |

    | 漏源击穿电压(BVDSS) | -20V |
    | 无门极电压漏电流(IDSS) | <1μA |
    | 门体漏电流(IGSS) | ±100nA |
    | 门阈值电压(VGS(th)) | -0.4V 至 -1.0V |
    | 漏源导通电阻(RDS(ON)) | <130mΩ (VGS=-4.5V, ID=-2A) <148mΩ (VGS=-2.5V, ID=-1.6A) |
    | 二极管正向电压(VSD) | -0.8V 至 -1.2V |
    | 最大体二极管连续电流(IS)| -2.3A |
    | 动态参数 | 规格 |

    | 输入电容(Ciss) | 260pF |
    | 输出电容(Coss) | 44pF |
    | 反向传输电容(Crss) | 29pF |
    | 总门极电荷(Qg) | 3.9nC |
    | 门极源极电荷(Qgs) | 0.7nC |
    | 门极漏极电荷(Qgd) | 0.9nC |
    | 开启延时时间(tD(on)) | 12ns |
    | 开启上升时间(tr) | 54ns |
    | 关断延时时间(tD(off)) | 15ns |
    | 关断下降时间(tf) | 9ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在门极电压为 -4.5V 时,导通电阻小于 130mΩ;在门极电压为 -2.5V 时,导通电阻小于 148mΩ。
    - 低门极电荷:总门极电荷为 3.9nC,便于快速开关。
    - 高可靠性:能够承受 -20V 的漏源电压和高达 10A 的脉冲漏电流。
    - 宽温度范围:可在 -55℃ 至 150℃ 的极端温度范围内稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:HI5121 作为负载开关使用时,可以有效控制电路中的电流流动,确保电路稳定。
    - PWM 应用:在 PWM 应用中,由于其低导通电阻和低门极电荷特性,HI5121 可以显著提高系统的效率。
    使用建议:
    - 在 PWM 应用中,确保选择合适的栅极驱动电压(1.8V 或更高),以保证 MOSFET 正常工作。
    - 在高功率应用中,考虑散热措施,避免过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HI5121 采用 SOT-23 封装,易于集成到现有电路板设计中。
    - 支持:华宣阳电子有限公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括数据手册、典型应用电路和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET 温度过高 | 改善散热设计或增加外部散热片。 |
    | MOSFET 不导通 | 检查门极电压是否达到阈值。 |
    | MOSFET 开关速度慢 | 优化门极驱动电路,减小门极电容。|

    7. 总结和推荐


    总结:
    HI5121 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,具备低导通电阻、低门极电荷和高可靠性等特点,适合用于 PWM 应用和负载开关。其宽温度范围和稳定的性能使其在各种恶劣环境下都能可靠工作。
    推荐:
    强烈推荐 HI5121 在需要高效、高可靠性的负载开关或 PWM 应用中使用。对于需要进行复杂电路设计的工程师来说,HI5121 提供了一个可靠的解决方案。

HI5121厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HI5121数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HI5121 HI5121数据手册

HI5121封装设计

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