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FDY302NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDY302NZ SOT-523
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDY302NZ

FDY302NZ概述

    # FDY302NZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDY302NZ 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 SOT-523 封装(SC-89-3),主要应用于电池保护、负载开关、不间断电源等领域。该 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(ON))和高耐压(VDS),能够在低至 2.5V 的门极电压下实现高效工作。

    技术参数


    极限参数
    | 符号 | 参数 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源击穿电压 | 20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±8 | V |
    | ID | 连续漏极电流 | 0.8 | A |
    | PD | 最大功耗 | 0.15 | W |
    | TJ, TSTG | 工作温度范围 | -55 至 150 | ℃ |
    静态特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS = 0V, ID = 250μA | 20 V |
    | IDSS | 零栅电压漏极电流 | VDS = 20V, VGS = 0V | 1 μA |
    | IGSS | 栅体漏电流 | VGS = ±8V, VDS = 0V | ±10 μA |
    | VGS(th)| 栅阈值电压 | VDS = VGS, ID = 250μA | 0.5 | 0.7 | 1.0 | V |
    | RDS(on)| 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V, ID = 0.5A | 0.25 Ω |
    | RDS(on)| 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V, ID = 0.5A | 0.36 Ω |
    | IS | 二极管正向电流 0.8 A |
    | ISM | 脉冲二极管正向电流 1.2 A |
    | VSD | 二极管正向电压 | IS = 0.5A, VGS = 0V | 1.2 V |
    动态特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |

    | CISS | 输入电容 | VDS = 16V, VGS = 0V, f = 1MHz | 50 | pF |
    | COSS | 输出电容 7 | pF |
    | CRSS | 反向传输电容 4.5 | pF |
    开关特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |

    | td(on) | 导通延迟时间 | VGS = 4.5V, VDS = 10V, RL = 10Ω | 2 | ns |
    | tr | 导通上升时间 32 | ns |
    | td(off)| 关断延迟时间 47 | ns |
    | tf | 关断下降时间 22 | ns |

    产品特点和优势


    FDY302NZ 具有以下几个显著特点:
    - 低导通电阻(RDS(ON)),在 VGS = 4.5V 时为 0.25Ω,在 VGS = 2.5V 时为 0.36Ω。
    - 高耐压(VDS = 20V)。
    - 能够在低至 2.5V 的门极电压下工作。
    - 适用于电池保护、负载开关和不间断电源等应用场景。
    这些特点使得 FDY302NZ 在高可靠性要求的应用中具有良好的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDY302NZ 广泛应用于电池保护电路和负载开关中。例如,在笔记本电脑和平板电脑的电池管理系统中,该 MOSFET 用于控制充电和放电过程,以确保电池的安全和效率。
    使用建议
    - 确保安装时使用符合推荐尺寸的焊盘,以减少热阻并提高散热效率。
    - 在高频率开关应用中,需注意选择合适的门极电阻以避免过大的输入电流和电磁干扰。

    兼容性和支持


    FDY302NZ 采用 SOT-523 封装,与其他同封装的器件具有良好的互换性。制造商提供全面的技术支持和服务,包括产品文档、测试报告和现场技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题一:工作温度超过规定范围
    解决方案: 确保在规定的温度范围内使用该器件,必要时可增加散热措施或使用散热片。
    问题二:漏电流过大
    解决方案: 检查连接线路是否有短路现象,确保所有连接正确无误。
    问题三:导通电阻异常高
    解决方案: 检查 VGS 是否达到所需的阈值电压,必要时调整驱动电路。

    总结和推荐


    FDY302NZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、可靠且适用广泛的器件。其低导通电阻和宽泛的工作电压范围使其在各种电子设备中表现出色。鉴于其卓越的特性和广泛的应用场景,我们强烈推荐将其用于电池保护和负载开关等领域。同时,请务必遵循制造商的安全指导和使用说明,以确保安全可靠的应用。

FDY302NZ参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -

FDY302NZ厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDY302NZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDY302NZ FDY302NZ数据手册

FDY302NZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2429
9000+ ¥ 0.2388
15000+ ¥ 0.2328
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起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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