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NVMFD5485NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVMFD5485NL DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVMFD5485NL

NVMFD5485NL概述

    NVMFD5485NL 双N沟道SGT增强型MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMFD5485NL 是由华轩阳(HUAXUANYANG)生产的一款双N沟道SGT(Super Junction Technology)增强型功率MOSFET。此款MOSFET 采用了先进的SGT工艺技术,具备低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和卓越的雪崩特性。主要用于消费电子产品电源、电机控制、同步整流及隔离式直流转换器等领域。

    技术参数


    以下是NVMFD5485NL的主要技术规格:
    - 最大绝对额定值
    - VDSS(漏源电压):60V
    - VGSS(栅源电压):±20V
    - ID(连续漏电流):TC = 25℃时为50A;TC = 100℃时为29A
    - IDM(脉冲漏电流):180A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):36mJ
    - PD(功率耗散):TC = 25℃时为60W
    - RθJC(热阻,结到壳):2.5℃/W
    - TJ, TSTG(工作和存储温度范围):-55℃至+175℃
    - 电气特性
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压):60V
    - IDSS(零栅电压漏电流):1.0μA
    - IGSS(栅体泄漏电流):±100nA
    - VGS(th)(栅阈电压):1.0V至2.5V
    - RDS(on)(静态漏源导通电阻):VGS=10V,ID=20A时,典型值为11mΩ;VGS=4.5V,ID=10A时,典型值为14mΩ
    - Ciss(输入电容):930pF
    - Coss(输出电容):230pF
    - Crss(反向转移电容):8pF
    - Qg(总栅极电荷):22nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷):3.5nC
    - td(on)(开通延时时间):4.5ns
    - tf(关断下降时间):2.7ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:采用先进的SGT工艺,确保了产品的高可靠性。
    - 低功耗:RDS(ON)非常低,从而显著降低了功耗。
    - 快速开关:具有低栅极电荷和快速开关特性,适用于高频应用。
    - 优越的雪崩性能:可承受较大的雪崩能量,确保在恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:NVMFD5485NL 在消费电子产品电源、电机控制及同步整流应用中表现优异。例如,在电机控制中,其快速开关特性可以显著降低功耗并提高系统效率。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热导致性能下降。
    - 在高温环境下使用时,注意功率耗散问题,合理选择散热措施。
    - 在进行电路设计时,充分考虑负载条件,以保证MOSFET的工作稳定性。

    兼容性和支持


    NVMFD5485NL 采用DFN5X6-8L封装,与多种应用板兼容。华轩阳公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过高的工作温度?
    - 解决方案:增加散热片或风扇,优化散热路径,减少热阻。
    2. 问题:如何确保长时间稳定工作?
    - 解决方案:定期检查设备工作状态,确保良好的通风和散热条件,及时更换老化部件。

    总结和推荐


    综上所述,NVMFD5485NL 是一款性能优异、用途广泛的双N沟道SGT增强型MOSFET。其高可靠性、低功耗和快速开关特性使其成为许多电力电子应用的理想选择。因此,我强烈推荐这款产品用于需要高性能和可靠性的应用场合。

NVMFD5485NL参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -

NVMFD5485NL厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVMFD5485NL数据手册

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NVMFD5485NL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 3.996
15000+ ¥ 3.9294
25000+ ¥ 3.8295
库存: 720000
起订量: 5000 增量: 5000
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最小起订量为:5000
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