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BSC123N08NS3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: BSC123N08NS3G DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSC123N08NS3G

BSC123N08NS3G概述

    N-Channel MOSFET BSC123N08NS3G 技术手册

    产品简介


    BSC123N08NS3G 是一款采用先进的SGT(超薄晶圆)技术制造的N沟道增强型MOSFET。这款器件专为提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷、快速开关能力和优异的雪崩特性而设计。其坚固耐用的特点使其特别适用于消费电子电源、电机控制、同步整流及隔离式直流应用等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):75A
    - 脉冲漏电流(ID, pulse):300A
    - 功耗(PD):97W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):90mJ
    - 工作和存储温度范围(Tstg,Tj):-55℃至150℃
    - 热阻(RθJC):1.3°C/W
    电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):100V
    - 零栅极电压漏电流(IDSS):1.0μA
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1.0~2.5V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V,ID=20A时:9.2mΩ
    - VGS=4.5V,ID=8A时:13.5mΩ
    - 输入电容(Ciss):2046pF
    - 输出电容(Coss):865pF
    - 反向传输电容(Crss):25pF
    - 总栅电荷(Qg):39.4nC
    - 栅源电荷(Qgs):5.2nC
    - 栅漏电荷(Qgd):9.8nC
    - 开启延迟时间(td(on)):20ns
    - 开启上升时间(tr):5.2ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):49ns
    - 关闭下降时间(tf):12ns
    - 最大连续漏源二极管正向电流(IS):75A
    - 最大脉冲漏源二极管正向电流(ISM):300A
    - 漏源二极管正向电压(VSD):1V
    - 体二极管反向恢复时间(trr):49ns
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr):85nC

    产品特点和优势


    BSC123N08NS3G 的独特优势在于其低导通电阻、高可靠性、快速开关速度和优秀的雪崩特性。其应用范围广泛,能够满足不同领域的高性能需求。该产品具有出色的耐压能力和高效能表现,使其成为多种电力转换和控制应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于消费电子电源、电机控制、同步整流及隔离式直流应用等场景。对于具体应用,我们建议进行充分的测试和验证以确保最佳性能。例如,在电机控制应用中,建议配合合适的驱动电路以充分利用其快速开关特性和低损耗特性。

    兼容性和支持


    BSC123N08NS3G 与市场上常见的 TDSON-8-EP(5x6) 封装的电子元器件兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,包括在线资源和技术文档。如需进一步帮助,用户可通过制造商的官方渠道获取专业支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的常见问题及其解决办法:
    1. 问题:产品工作温度超出规定范围。
    - 解决方案: 确保设备运行在-55℃至150℃的工作温度范围内。
    2. 问题:漏电流过高。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确保没有短路情况发生。
    3. 问题:开关频率过高导致热损耗增加。
    - 解决方案: 使用合适的散热措施,如加装散热片或强制风冷系统。

    总结和推荐


    总体而言,BSC123N08NS3G 在提供高效率和可靠性的前提下,能够满足多种复杂应用场景的需求。其强大的性能、出色的可靠性以及广泛的适用性使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐用户在涉及高性能电力转换和控制的应用中选用此款MOSFET。

BSC123N08NS3G参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -

BSC123N08NS3G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSC123N08NS3G数据手册

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BSC123N08NS3G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.921
25000+ ¥ 1.8722
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