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IRF7807PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF7807PBF SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF7807PBF

IRF7807PBF概述

    IRF7807PBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7807PBF 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)制造的高性能 N-Channel Enhancement Mode MOSFET。它采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON)),低门极电荷,并且能够在门极电压低至4.5V的情况下工作。这款MOSFET适用于电池保护和开关应用,如不间断电源(UPS)、负载开关等。

    技术参数


    - 额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID@TA=25℃): 8.5A
    - 持续漏电流 (ID@TA=70℃): 5.6A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 35A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 20mJ
    - 存储温度范围 (TSTG): -55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围 (TJ): -55℃ 至 150℃
    - 热阻 (RθJA): 25℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 30V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 14-18mΩ (VGS=10V, ID=7A)
    - 门阈电压 (VGS(th)): 1.2-2.5V
    - 门源泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 门极电荷 (Qg): 6-8.4nC (VDS=15V, VGS=4.5V, ID=7A)

    产品特点和优势


    IRF7807PBF 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=10V,有助于减少功率损耗。
    - 低门极电荷:Qg = 6-8.4nC,提高开关速度。
    - 宽工作电压范围:能够承受高达30V的漏源电压,适用范围广。
    - 高可靠性:适用于工业和消费电子领域,确保稳定可靠的工作性能。

    应用案例和使用建议


    IRF7807PBF 可广泛应用于电池保护系统、负载开关和不间断电源(UPS)等领域。具体使用建议如下:
    - 电池保护系统:利用其低漏源电压和低导通电阻的特点,确保电池系统的安全稳定运行。
    - 负载开关:通过快速开关能力减少功耗,提高能效。
    - 不间断电源(UPS):其高可靠性使其成为UPS系统的理想选择。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保工作条件不超过最大额定值,以避免器件损坏。
    - 使用适当的散热措施,以保持较低的工作温度,从而提高长期稳定性。

    兼容性和支持


    IRF7807PBF 采用标准的SOP-8封装,易于与其他电子元件集成。深圳华轩阳电子有限公司提供了全面的技术支持,包括详尽的技术文档、样品和工程咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度范围有限制吗?
    - 解决方案:IRF7807PBF 的存储温度范围为-55℃ 至 150℃,适合各种环境应用。
    2. 问题:如何优化其散热性能?
    - 解决方案:可以采用散热片或风扇进行外部散热,确保良好的热管理。

    总结和推荐


    IRF7807PBF 是一款高性能、高可靠的N-Channel MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的适用性。适用于多种电子设备和系统中。建议在需要高可靠性和高效能的应用场合中使用此产品。
    综上所述,IRF7807PBF 是一个值得信赖的选择,适合工程师在设计复杂电子系统时考虑。

IRF7807PBF参数

参数
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -

IRF7807PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF7807PBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7807PBF IRF7807PBF数据手册

IRF7807PBF封装设计

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9000+ ¥ 1.2272
15000+ ¥ 1.196
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