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BSS159N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: BSS159N SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSS159N

BSS159N概述

    BSS159N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    BSS159N 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用了先进的沟槽技术,以提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并且能够在最低4.5V的栅极电压下运行。这款产品特别适合用于电池保护和开关应用。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 工作电压范围:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (TA =25℃):0.3A
    - 连续漏电流 (TA =100℃):0.19A
    - 脉冲漏电流:0.8A
    - 最大功率耗散:0.35W
    - 温度范围:
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 到 150°C
    - 热阻 (结至环境):350°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60V(典型值)
    - 栅漏泄漏电流 (IGSS):±100nA(最大值)
    - 栅阈电压 (VGS(th)):0.7V 至 1.9V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):1Ω(最大值,VGS=10V)
    - 电容特性:
    - 输入电容 (Clss):21pF(最大值)
    - 输出电容 (Coss):11pF(最大值)
    - 反向转移电容 (Crss):4.2pF(最大值)
    - 开关特性:
    - 开启延时时间 (td(on)):10ns(最大值)
    - 关闭延迟时间 (td(off)):17ns(最大值)
    - 总栅极电荷 (Qg):3nC(最大值)

    3. 产品特点和优势


    BSS159N 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低导通电阻:出色的 RDS(ON),在 VGS=10V 下 <2Ω,确保高效率操作。
    - 低栅极电荷:栅极电荷低,有助于降低开关损耗,提高电路的总体效率。
    - 高可靠性:具有较高的 ESD 额定值(HBM ≥2000V),保障可靠性和耐用性。
    - 宽工作温度范围:可在极端温度环境下正常工作,适应性强。

    4. 应用案例和使用建议


    BSS159N 主要应用于以下领域:
    - 电池保护:用于防止电池过充或过放电。
    - 负载开关:用于控制负载电流,保护电路免受过载损害。
    - 不间断电源 (UPS):提供可靠的电源切换。
    使用建议:
    - 在使用 BSS159N 进行电池保护时,应确保正确的连接和适当的散热措施,避免因温度过高导致失效。
    - 在设计负载开关时,需考虑电流和电压的变化,以确保 MOSFET 正常工作并达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:采用 SOT-23 封装,尺寸小巧,适用于紧凑型电路板设计。
    - 兼容性:该产品与同类 N 沟道 MOSFET 在引脚配置上兼容,易于替换其他品牌的产品。
    - 支持服务:制造商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的栅极电压会导致损坏吗?
    - 解决方案:避免将栅极电压超过 20V,以免造成损坏。

    - 问题 2:在高温环境下,如何避免热失控?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用足够的散热片或风扇,确保 MOSFET 在允许的工作温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    BSS159N 以其卓越的性能、低功耗和高可靠性,在电池保护和开关应用中表现出色。该产品不仅适用于消费电子产品,还可用于工业控制和其他需要高效能 MOSFET 的场合。总的来说,BSS159N 是一个值得推荐的产品,尤其是在对导通电阻和栅极电荷有较高要求的应用中。
    通过以上详细的分析和介绍,可以看出 BSS159N 是一款具有广泛适用性和高性价比的电子元器件,强烈推荐给需要高效能 MOSFET 的用户。

BSS159N参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -

BSS159N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSS159N数据手册

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BSS159N封装设计

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